1. 광 검출기 / 광 센서
ㅇ 빛 에너지를 검출하여 전기적 신호로 바꿀 수 있는 소자
2. 에너지 전환 형태에 따른 구분
※ 직접적인 검출 측정 보다는, 다른 에너지로의 변환을 통해 측정이 이루어짐
ㅇ 에너지 변환형
- 빛 → 기전력 발생 → 전기 발생량으로 측정
ㅇ 에너지 제어형
- 빛 → 저항 특성 변화 → 전류 흐름을 제어 → 전기 제어량으로 측정
3. 검출 형태에 따른 구분
ㅇ 열 검출기 형태 (Thermal Detector) - 파동 검출
- 광의 입자성 보다는 복사에너지의 열적 흡수 효과에 따른 물리적 변화에 의해 측정
. 열전대 검출기 : 금속 접합부에서 온도(열 전위) 변화에 따른 저항 변화 이용
. 볼로미터 : 복사열에 의한 금속에서의 온도 변화에 따른 저항 변화 이용
. 서미스터 : 주로 반도체 재료에서 온도 변화에 따른 저항 변화 이용
* 효율이 낮고, 응답 속도가 느림
ㅇ 광양자적 검출 형태 (Photon Detector) - 광자 검출
- 광 전자 방출형 (Photo-emissive Detector)
. 빛 입사에 의해 진공관에서 광자가 표적에 충돌하여 전자 방출 효과 이용
.. 例) 광전관 (Photoelectric Tube), 광증배관 (Photomultiplier) 등 광전효과 응용
.. 주로, 광자수에 비례한 전자 전류 출력을 검출하는 원리
- 광 전도형 (Photo-conductor)
. 빛 입사에 의해 전기 전도도 증가 효과 이용
.. 例) CdS Cell (황화카드뮴 광도전셀) 등 ☞ 포토레지스터 참조
.. 빛 세기가 증가하면, 저항이 감소하여, 전류가 많이 흐르게 되어, 이를통해 광 검출
- 광 기전력형 (Photo-voltaic Detector)
. 빛 입사에 의해 반도체 pn 접합에서 기전력(전류) 발생 효과 이용
.. 例) 포토 다이오드 : 반도체 광다이오드 (PIN-PD, APD),
포토 트랜지스터,
이미지 센서 (CCD 이미지 센서, CMOS 이미지 센서) 등
* 검출 원리 ☞ 광전 효과 (Photoelectric Effect) 참조
ㅇ 광 화학적(Photochemistry) 검출 형태
- 빛 입사에 의해 물질이 화학반응을 일으킴
. 例) 광합성, 감광제 등