Tr   Transistor   트랜지스터

(2023-12-25)

1. 트랜지스터 (Transistor)

  ㅇ Bardeen, Bratten 및 Shockley 가 발명반도체재료가 된 고체 능동 소자
     - 1947년 공동 발명 
     - 1955년 최초의 반도체회사 쇼클리 반도체연구소 설립 (실리콘벨리 탄생 기여)
     - 1956년 노벨상 공동 수상
     - 1959년 상업적 제작 시작


2. 트랜지스터의 특징

  ㅇ 통상 3-단자로 구성된 능동소자 
     - 마치 2-단자 저항 처럼 동작하며, 저항을 쉽게 바꿀 수 있다고 하여,
        . `Transfer-Resistor(전달저항)` 또는 `Current-transferring Resistor` 
          또는 `Trans-resistor` 라는 말을 줄여
        . 그냥 Transistor 라고 말함

  ㅇ 입력으로 출력의 제어 
     - 증폭 이득 제어(gain controlled), 제어전원(controlled source) 역할

     - 한 포트가 다른 포트의 흐름을 조절 (3 단자 2 포트)

     - 주로, 전압제어전류원(트랜스컨덕턴스)으로 동작하는 3단자 소자
        . 입력 단자의 전압에 의해 출력 단자의 전류제어함
        . 전압제어 전류원은, 부하 저항과 함께 사용되어, 전압 증폭기를 구성할 수 있음   ☞ 증폭회로
        . 전압 이득, 전류 이득, 전력 이득 모두 가능

  ㅇ 신호에 비해 `높은 입력 저항`을 갖음
     - 따라서, `작은 입력 전력 소모` 

  ㅇ 부하에 비해 `낮은 출력 저항`을 갖음
     - 따라서, 부하측으로 `많은 전류 공급 가능`

  ㅇ 응용
     - 크게, 아날로그 `증폭기` 및 디지털 `스위치`로 동작되게 설계3. 트랜지스터의 종류쌍극성 트랜지스터 
     - BJT (Bipolar Junction Transistor, 쌍극 접합 트랜지스터)
        . 전자,정공 2개 형의 전하 모두가 동작에 참여함
        . 주로, 전류에 의해 제어되는 전류 제어소자(Current-controlled device)라고 일컬어짐
           .. 베이스 전류에 의해 출력 전류 특성이 제어됨(I = βI)   ☞ BJT 전류이득 참조
           .. 관례적으로, BJT전류에 의해 그 동작이 많이 기술되어왔음 
        . 비대칭적 구조 즉, 이미터,컬렉터가 대칭적이지 않으므로, 서로 바꾸어 배치하면 안됨

  ㅇ 단극성 트랜지스터 
     - FET (Field Effect Transistor, 전계효과 트랜지스터)
        . 전자,정공 중 단지 1개 형의 전하 만에 의한 동작을 함
        . 주로, 전압에 의해 제어되는 전압 제어소자 (Voltage-controlled device)라고 일컬어짐
           .. 게이트 전압에 의해 다수캐리어전류 흐름을 제어
        . 특징
           .. 제조가 쉽고, BJT 보다 조밀하게 제조 가능
           .. 온도 유지 특성이 좋으며, 크기가 더 작음
           .. 소스,드레인이 대칭적이어서, 서로 바꿀 수 있음
        . 구분 
           .. JFET
           .. MOSFET : 공핍형 MOSFET, 증가형 MOSFET, CMOSBJTMOSFET 비교
     - BJT는 가혹한 환경 하에서도 신뢰성 높음
        . 높은 주파수에서도 동작 특성 우수, 높은 전류 구동 능력 등
     - MOSFET는 집적도가 월등히 높음
     - BJTMOSFET의 결합 => BiCMOS


4. 트랜지스터 종류별 동작의 구분BJT 동작모드
     - `활성영역` : `증폭기` 역할
        . 활성영역 내 직류 바이어스되고, 전압제어전류원(트랜스컨덕턴스) 동작 : i = g v
        . 지수 관계 : iC = IS evBE/VT
     - `포화영역 (ON)` 및 `차단영역 (OFF)` : `스위치` 역할

  ㅇ MOSFET 동작모드
     - `활성영역/포화영역` : `증폭기` 역할
        . 활성영역 내 직류 바이어스되고, 전압제어전류원(트랜스컨덕턴스) 동작 : i = g v
        . 제곱 법칙 관계 : iD = 1/2 kn (vGS - Vth)2
     - `선형영역 (ON)` 및 `차단영역 (OFF)` : `스위치` 역할


5. [참고사항]

  ㅇ 트랜지스터 단자별 등가회로 모델화  ☞ BJT 등가회로, MOSFET 등가회로, h 파라미터 등 참조
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