Transconductance 트랜스 컨덕턴스, 전달 컨덕턴스 | (2020-07-11) |
전달 콘덕턴스 | |
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등가회로 모델 1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델)
2. Ebers-Moll 모델
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5. MOSFET 등가회로
6. 트랜스 컨덕턴스
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9. 드레인 저항
1. 트랜스 컨덕턴스 ㅇ 트랜지스터가 `전압제어 전류원(VCIS)` 역할을 할 때, - `증폭률 (이득 : 입력 전압 vi 대 출력 전류 io)`을 제공하는 척도 . Gm = io/vi [A/V] (트랜스 컨덕턴스) ※ BJT가 MOSFET 보다 비교적 큰 트랜스컨덕턴스 값을 갖게할 수 있음 - 소자별 트랜스 컨덕턴스 의존성 . BJT : 주로, 바이어스(바이어스된 직류 컬렉터 전류)에 의존적 . MOSFET : 주로, 제조공정 및 설계 파라미터에 의존적 ㅇ 단위 : [mA/V] 또는 [지멘스, Ω-1] 2. BJT 트랜스 컨덕턴스ㅇ BJT 트랜스 컨덕턴스는 정적으로 바이어스된 컬렉터 전류에 정비례함 - VBE : 입력 베이스-이미터 전압 - IC : 출력 컬렉터 전류
ㅇ 전압제어 전류원 증폭기로써의 소신호 근사 - 입력 신호 전압 진폭(VBE)을 충분히 작게하며 선형 구간 내로 제한시켜, - 출력 신호 전류 증폭(IC)을 얻어냄 3. MOSFET 트랜스 컨덕턴스 ☞ MOSFET 전달 컨덕턴스 참조
ㅇ MOSFET 트랜스 컨덕턴스는 제조공정 및 설계 파라미터에 의존함 - VGS : 입력 게이트-소스 전압 - ID : 출력 드레인 전류
| [등가회로 모델] | 1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델) 2. Ebers-Moll 모델 3. 하이브리드 π 모델 4. h 파라미터 5. MOSFET 등가회로 6. 트랜스 컨덕턴스 7. 이미터 저항 8. 베이스,컬렉터 저항 9. 드레인 저항 |