Transconductance   트랜스 컨덕턴스, 전달 컨덕턴스

1. 트랜스 컨덕턴스

  ㅇ 증폭률 척도
     - 트랜지스터가 `전압제어 전류원(VCIS)` 역할을 할 때,
     - `증폭률 (이득 : 입력 전압 vi 대 출력 전류 io)`에 상응하는 척도
        .  gm = io/vi [A/V]  (트랜스 컨덕턴스)

  ㅇ 단위 : [mA/V] 또는 [지멘스, Ω-1]

  ※ 이 파라미터는, 트랜지스터 증폭기의 전압 이득에 직접적으로 관련시킬 수 있는 중요 파라미터 임
     - 통상, 트랜지스터는, 전압제어전류원(BJT,MOSFET 등 3 단자 소자) 및 부하 저항을 결합시켜,
        . 전압 증폭기 형태로 동작시킴
           

  ※ 한편, BJT가 MOSFET 보다 비교적 큰 트랜스컨덕턴스 값을 갖게할 수 있음
     - 트랜스 컨덕턴스 의존성
        . BJT    : 주로, 바이어스(바이어스된 직류 컬렉터 전류)에 의존적
        . MOSFET : 주로, 제조공정 및 설계 파라미터에 의존적


2. BJT 트랜스 컨덕턴스

  

  ㅇ BJT 트랜스 컨덕턴스는, 정적으로 바이어스된 컬렉터 전류(ICQ)에 정비례함
     - VBE : 입력 베이스-이미터 전압
     - IC  : 출력 컬렉터 전류
       

  ㅇ 전압제어 전류원에 의한 증폭기
     - 입력 신호 전압 진폭(VBE)을 충분히 작게하여,
     - 선형 구간 내로 제한시키면,
     - 출력 신호 전류(IC)의 증폭(gm)을 얻어냄


3. MOSFET 트랜스 컨덕턴스           ☞ MOSFET 전달 컨덕턴스 참조

  

  ㅇ MOSFET 트랜스 컨덕턴스는 제조공정 및 설계 파라미터에 의존함
     - VGS : 입력 게이트-소스 전압
     - ID  : 출력 드레인 전류