Transconductance   트랜스 컨덕턴스, 전달 컨덕턴스

(2020-07-11)

전달 콘덕턴스

Top > [기술공통]
[기초과학]
[진동/파동]
[전기전자공학]
[방송/멀티미디어/정보이론]
[통신/네트워킹]
[정보기술(IT)]
[공학일반(기계,재료등)]
[표준/계측/품질]
[기술경영]
전기전자공학 >   1. 전기전자공학
  2. 전기 (Electricity) 이란?
[디지털공학]
[신호 및 시스템]
[회로해석]
[전자기학]
[초고주파공학]
[반도체]
[전자회로]
[전기공학]
[자동제어]
[전자공학(기타일반)]
전자회로 >   1. 전자 회로
[전자회로 기초]
[트랜지스터 동작]
[증폭기]
[발진기]
[펄스파형회로]
[기초응용회로]
[집적회로]
[부품/소자/기타]
증폭기 >   1. 증폭(기)
  2. 증폭기 구분
[바이어싱]
[소신호 증폭기]
[등가회로 모델]
[연산증폭기]
[부귀환 증폭기]
[증폭기 주파수응답]
[전력증폭기]
[집적회로 증폭기]
[증폭기 기타일반]
등가회로 모델  1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델)
  2. Ebers-Moll 모델
  3. 하이브리드 π 모델
  4. h 파라미터
  5. MOSFET 등가회로
  6. 트랜스 컨덕턴스
  7. 이미터 저항
  8. 베이스,컬렉터 저항
  9. 드레인 저항

1. 트랜스 컨덕턴스트랜지스터가 `전압제어 전류원(VCIS)` 역할을 할 때,
     - `증폭률 (이득 : 입력 전압 vi 대 출력 전류 io)`을 제공하는 척도
        .  Gm = io/vi [A/V]  (트랜스 컨덕턴스)

  ※ BJTMOSFET 보다 비교적 큰 트랜스컨덕턴스 값을 갖게할 수 있음
     - 소자별 트랜스 컨덕턴스 의존성
        . BJT    : 주로, 바이어스(바이어스직류 컬렉터 전류)에 의존적
        . MOSFET : 주로, 제조공정 및 설계 파라미터에 의존적

  ㅇ 단위 : [mA/V] 또는 [지멘스, Ω-1]


2. BJT 트랜스 컨덕턴스

  BJT 트랜스 컨덕턴스는 정적으로 바이어스컬렉터 전류에 정비례함
     - VBE : 입력 베이스-이미터 전압
     - IC  : 출력 컬렉터 전류
       전압제어 전류원 증폭기로써의 소신호 근사
     - 입력 신호 전압 진폭(VBE)을 충분히 작게하며 선형 구간 내로 제한시켜,
     - 출력 신호 전류 증폭(IC)을 얻어냄


3. MOSFET 트랜스 컨덕턴스           ☞ MOSFET 전달 컨덕턴스 참조

  MOSFET 트랜스 컨덕턴스는 제조공정 및 설계 파라미터에 의존함
     - VGS : 입력 게이트-소스 전압
     - ID  : 출력 드레인 전류
       


[등가회로 모델] 1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델) 2. Ebers-Moll 모델 3. 하이브리드 π 모델 4. h 파라미터 5. MOSFET 등가회로 6. 트랜스 컨덕턴스 7. 이미터 저항 8. 베이스,컬렉터 저항 9. 드레인 저항

    요약목록

Copyrightⓒ written by 차재복 (Cha Jae Bok)     (소액후원)