Drain Resistance 드레인 저항, MOSFET 출력 저항

(2013-12-09)

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1. 소신호 드레인 저항

  ㅇ MOSFET에서 채널길이변조 효과에 의해 나타나는 소신호 드레인 저항 성분
     

     - I_DQ는 채널길이변조(얼리효과)를 고려하지 않은 직류 드레인 전류

  ㅇ MOSFET는 포화영역 동작에서 드레인 소스 전압 v_DS 증가에 따라,
     드레인 전류 i_D가 증가하는 채널길이변조 효과를 갖음 
     

     - 얼리효과에 의해 드레인 전류 I_D가 드레인 소스 전압 V_DS에
       선형적으로 의존

[등가회로 모델]1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델) 2. Ebers-Moll 모델 3. 하이브리드 π 모델 4. r 파라미터 모델 5. h 파라미터 모델 6. MOSFET 등가회로 7. 트랜스 컨덕턴스 8. 이미터 저항 9. 베이스,컬렉터 저항 10. 드레인 저항

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