1. 기억 장치 (메모리)
ㅇ 전자적 수단에 의해 기억 및 기록 능력을 실현시키는 장치/소자
- 전자의 유무, 전압의 고저, 자기적 극성, 빛의 반사율 등에 의함
ㅇ 2진 정보의 쓰기/읽기/검색이 가능한 다수의 메모리 셀(Memory Cell)로 구성된 디지털시스템
2. 기억장치의 구분 : (H/W 관점)
ㅇ 캐쉬 메모리 (Cache Memory)
- CPU와 주 기억장치 등 간에 속도 최적화,임시 기억 등을 위한 고속의 메모리
. 플립플롭(Flip-flop), 레지스터(Register), 고속의 SRAM 등
ㅇ 주 기억장치,주 메모리,메인 메모리 (Main Memory), 시스템 메모리 (System Memory)
- 주로, 반도체 메모리 소자를 말함 ☞ 반도체 메모리 (RAM,ROM) 참조
. CPU가 현재 작업하고 있는 프로그램,데이터를 저장하고, 이를 직접 처리 가능
. 작은 데이터(보통,워드 단위)로 불규칙 접근/처리를 할 수 있어야 함
- 크게, RAM (임의 접근 메모리) 및 ROM (읽기 전용 메모리) 으로 구분
- 통상, 메모리 이라하면, 주기억장치를 일컬으며,
현재 운영(랜덤 억세스 가능) 중인 데이터가 저장되고 처리되는 공간을 제공함
ㅇ 보조 기억장치 (Auxiliary Memory),대용량 메모리 (Mass Memory),외부 기억장치 (External Memory)
- 대용량 정보를 저장하기 위한 자기 디스크,플래시 메모리,광 디스크 등과 같은 저장장치
. CPU가 직접 처리하지 않고, 별도의 제어기를 통해 접근 가능
. 큰 데이터 덩어리(보통,512 바이트 등)로 읽고쓰는 블록 지향 장치
- 주로, 순차적적인 메모리로써, 저장 위치에 따라 정보 접근에 걸리는 시간이 달라짐
- 통상, 저가격으로 데이터 변경은 가능하지만, 영구적인 저장소로써, 모든 것이 저장된 곳
ㅇ 가상 메모리 (Virtual Memory)
- 부족한 주기억장치를 보조기억장치로 확장
. (실제 보다 더 많은 메모리를 갖는 것 처럼 동작)
3. 기억장치의 구분 : (S/W 관점, Runtime 실행 차원)
※ ☞ 런타임 메모리 참조
- 프로그램 관점에서, 메모리 상에 일시적으로 데이터를 기억해두는 영역
- 종류 : 영구 메모리, 동적 자동 메모리(스택 메모리), 힙 메모리, 자유 영역 등
4. 기억장치의 관련 용어
※ ☞ 기억장치 용어 참조
- 메모리 셀(Memory Cell), 메모리 주소, 읽기/쓰기 동작, 메모리 용량 등
5. 기억장치(메모리 시스템)의 계층 구조
ㅇ 서로 다른 속도 및 크기를 갖는 여러 계층의 메모리를 사용하는 구조
- (CPU) ↔ (캐쉬메모리) ↔ (주메모리) ↔ (보조메모리, 자기디스크 등)
* 상위 계층일수록,
. 더 빠른 접근시간(우수한 성능), 더 높은 비트 당 비용, 더 적은 에너지 소비를 지향함
ㅇ 컴퓨터 구조 상의 많은 부품들이 기억장치 계층 구조와 관련이 깊음
- 例) 캐시 메모리는, CPU와 가장 가까이 있는 장치
- 例) 프로세서 내 메모리관리장치(MMU)는, 가상메모리를 지원하는 장치
※ [참고] ☞ 참조의 지역성(locality of reference)