1. 증착 (Deposition)
ㅇ 박막 또는 고체 형성 과정 중 하나
ㅇ [열역학]
- 기체(기화) 상태의 물질이 고체로 상변화하는 것
ㅇ [집적공정]
- 적층하려는 원 재료 입자를 기화 상태로 만들고,
- 반도체 원판(웨이퍼) 또는 LCD 유리 기판 등의 표면 위에서,
- 물리적/화학적 반응을 일으켜, 기화된 물질을 얇게 입혀서,
- 원하는 전기적인 특성을 갖는 박막 층을 형성시키는 공정
2. 증착 구분
ㅇ 화학 증착/화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition, CVD)
- 실리콘 계열 물질의 증착
. 다양한 반응 가스를 화학반응시켜 표면에 박막 형성
- 원하는 원자나 분자를 챔버 내에서 화학적으로 생성하여 웨이퍼에 코팅
. 반응 기체와 에너지(열에너지,플라즈마,광학적 여기 등)를 인가함으로써 일어나는
화학반응에 의존
. 기화된 원재료 물질이 가열된 기판 위에서 환원되거나 재구성됨
* 주로, 절연용 박막 등
ㅇ 물리 증착/물리 기상 증착 (Physical Vapor Depositin, PVD)
- 금속 계열 물질의 증착
. 증착시키고자한 표면에 물리적으로 응축시키거나 타킷을 때리는 등
- 진공 증착 (Vacuum Depositin) 법
. 열 증발 (Thermal Evaporation) : 증발된 원자가 작은 운동에너지를 갖음
.. 가장 단순하고 오래된 방법, 주로 금속 박막을 증착하는데 많이 사용
.. 금속을 진공 상태에서 가열한 후 증기로 만든후 대상 표면에 얇은 층을 만듬
.. 증발 열원 : 가열 필라멘트, RF 가열, 집중된 전자 빔 등
. 스퍼터링 (Sputtering) : 증발된 원자가 큰 운동에너지를 갖음
.. ULSI 집적회로부터는 거의 스퍼터링이 주로 사용됨
- 스패터링 (Spattering) 법
* 주로, 금속 배선용 등
3. 주요 적층 원료 물질
ㅇ 절연체(유전체) 류 : SiO2, Si3N4, 산화막 등
ㅇ 반도체 류 : Si, Ge, GaAs, GaP 등
ㅇ 도체 (금속) 류 : Al, Ni, Au, Pt, Ti 등