Wafer   Silicon Wafer, Semiconductor Wafer, Silicon Ingot   웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 반도체 웨이퍼, 실리콘 잉곳

1. 실리콘 잉곳 (Ingot)

  ㅇ 직경 20 또는 30 ㎝, 길이 1 m 정도의 원기둥 형태의 단일 결정 실리콘 덩어리
     - 이 실리콘 기둥(잉곳)을 다이아몬드 톱으로 썰어서,
     - 기계적,화학적 연마(Polishing)을 거쳐,
     - 얇은 원판 형태의 웨이퍼를 만들게됨

  ㅇ 집적도를 높이도록 점점 커지는 경향 : 200㎜(1960), 300㎜(2001), 450㎜(2012) ~

  ※ [참고]  ☞ 결정 성장 참조


2. 반도체 웨이퍼 (Wafer)  :  단결정 기판

  ㅇ 표면을 매끈하게 다듬고, 순도가 매우 높도록 제작된 단결정 기판
     - 이 기판은, 그 위에 반도체의 성장을 결정(구조 및 종류)하는 기반으로써,
     - 반도체 소자 제작의 시발점이 됨
        . 웨이퍼 상에 회로에 대응되는 패턴화된 마스크를 형성시키고,
        . 마스크에 있는 개구부들을 통하여 선택적으로 도펀트들을 주입하게됨

  ㅇ 직경, 두께, 모양
     - 직경이 15~30 ㎝, 두께가 1 ㎜ 이하 정도의 박막 원형의 단결정 실리콘
        . 직경 20, 30 ㎝ 웨이퍼가 주로 양산됨

  ㅇ 비저항 값
     - 수 ~ 수십 [㏀·cm] 정도

  ㅇ 통상, 단일 웨이퍼 상에 수백개의 마이크로급 칩을 제조 가능

  ※ [참고]  ☞ 집적공정, 반도체 패키징 등 참조


3. 다이 (die), 펠릿 (pellet)

  ㅇ 다이 (die) : 웨이퍼에서 잘라낸 작은 사각형 형태로, 그 위에 형성된 회로소자
  ㅇ 베어 다이 (bare die) : 웨이퍼에서 잘라낸 원 상태 그대로의 다이
  ※ 통상,
     . 다이 크기는, 10mm x 10mm 정도
     . 다이 갯수는, 한 웨이퍼 상에 보통 200~500 여개 배치 가능