Deposition, Vapor Deposition   증착, 기상 증착

(2019-01-06)

PVD, Physical Vapor Depositin, 물리 증착


1. 증착 (Deposition)박막 또는 고체 형성 과정 중 하나

  ㅇ [열역학] 
     - 기체(기화) 상태물질고체상변화하는 것

  ㅇ [집적공정]
     - 적층하려는 원 재료 입자기화 상태로 만들고,
     - 물리적/화학적 반응을 일으켜,
     - 반도체 원판(웨이퍼) 또는 LCD 유리 기판 등의 표면에 입혀서,
     - 원하는 전기적인 특성을 갖는 박막 등을 형성시키는 공정


2. 증착 구분화학 증착/화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition, CVD)
     - 실리콘 계열 물질의 증착
        . 다양한 반응 가스화학반응시켜 표면박막 형성

     - 원하는 원자나 분자를 챔버 내에서 화학적으로 생성하여 웨이퍼코팅
        . 반응 기체에너지(열에너지,플라즈마,광학적 여기 등)를 인가함으로써 일어나는
          화학반응에 의존
        . 기화된 원재료 물질이 가열된 기판 위에서 환원되거나 재구성됨

  ㅇ 물리 증착/물리 기상 증착 (Physical Vapor Depositin, PVD)
     - 금속 계열 물질의 증착
        . 증착시키고자한 표면물리적으로 응축시키거나 타킷을 때리는 등

     - 진공 증착(Vacuum Depositin) 법 
        . 열 증발(Thermal Evaporation) : 증발원자가 작은 운동에너지를 갖음
           .. 가장 단순하고 오래된 방법, 주로 금속 박막을 증착하는데 많이 사용
           .. 금속진공 상태에서 가열한 후 증기로 만든후 대상 표면에 얇은 층을 만듬
           .. 증발 열원 : 가열 필라멘트, RF 가열, 집중된 전자 빔 등
        . 스퍼터링(Sputtering) : 증발원자가 큰 운동에너지를 갖음
           .. ULSI 집적회로부터는 거의 스퍼터링이 주로 사용됨
     - 스패터링(Spattering) 법


3. 주요 적층 원료 물질절연체(유전체) 류 : SiO2, Si3N4, 산화막 등
  ㅇ 반도체 류         : Si, Ge, GaAs, GaP 등
  ㅇ 도체 (금속) 류    : Al, Ni, Au, Pt, Ti 등



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