FET   Field Effect Transistor   전계효과 트랜지스터

1. 전계효과 트랜지스터 (FET, Field Effect Transistor)

  ㅇ FET는, BJT 이전 1920~30년도에 이미 발명 특허로 제시 되었지만, 제조상의 어려움 때문에, 
     - 그 실용적 개발은 BJT 개발 (1947년) 훨씬 이후, 1960년대부터 본격 개발되기 시작

  ㅇ 단극형(Unipolar)이며, 전계효과를 이용하는, 전압제어 전류원(VCCS) 소자인 트랜지스터 임
     - 한편, BJT는, 전하 반송자로써 `전자` 및 `정공` 모두를 이용하는, 쌍극형(Bipolar)임


2. FET 특징

  ㅇ 전압 제어 전류원 소자 (Voltage-controlled Current Source, VCCS)
     - 인가 전압에 의해 발생한 전계를 이용하여 전류를 제어

     * (BJT,FET 비교)
        . BJT : 베이스 전류로, 컬렉터 전류의 양을 제어하는 전류 제어 소자
        . FET : 게이트와 소스 간 전압으로, 드레인 전류를 제어하는 전압 제어 소자
           .. BJT 처럼 입력 전류의 필요 없이도, 큰 출력 전류를 갖는 소자 구현에 유리 

  ㅇ 단극형 트랜지스터 (Unipolar Transistor) 임
     - 전자,정공 중 1개 형의 전하(다수캐리어) 만에 의한 동작 (다수캐리어 디바이스)

  ㅇ 전계 효과(Field Effect)에 의함
     - 특정 단자(게이트)에 전압이 인가되어 나타난 전계에 의해,
     - 전류가 흐를수 있는 `전도성 채널의 폭`과 `공핍영역`의 조절이 되며,
     - 이에따라 저항의 변화가 있게됨

  ㅇ 입력 저항이 매우 높음
     - 게이트-소스 간 pn접합이 역방향 바이어스 하에 동작하므로

  ㅇ 제조 용이, 집적도 좋음, 온도 유지 특성이 좋음, 크기가 작음, 전력 소모 적음


3. FET 종류 

  ㅇ JFET
     - 양쪽 게이트의 2개의 역 바이어스된 pn 접합 하에서, 
     - 게이트 전압 인가로 다수캐리어 흐름(전도채널)을 조절하며 전류 제어
         

  ㅇ MOSFET
     - 게이트가 전도채널로부터 산화막으로 절연되어 있음
        . 이것이 JFET와 다른 점임
     - 이때문에, IGFET(Insulated-gate FET,절연 게이트 FET)라고도 불리어짐
         

  ※ 산업계에서 주로 MOSFET를 많이 사용