1. `상태`, `상태 수`, `상태 밀도`, `상태 분포함수`, `상태 점유 입자 수`의 비교
※ ☞ 상태 상태수 상태밀도 상태분포 상태점유수 비교 참조
- 상태 : `에너지 양자화된 상태`로써 계의 미시 상태들이 구별됨
- 상태 수 = 상태 밀도 x 에너지 구간 : `에너지 양자화된 상태의 수` 만큼 에너지 구간 내 존재
- 상태 밀도 : `재료의 물성`과 관계됨. 단위 체적 당 단위 에너지 당 상태 수
- 상태 분포함수 : `재료의 물성에 비 의존적임. 확률적 해석 (통계열역학) ☞ 페르미분포함수
- 상태 점유 입자 수 : 입자수 = ∫ 농도 dV = ∫ (상태 밀도 x 분포함수) dE
. `미시적 상태에 대한 적분으로 의미있는 물리량의 총 량(量)을 구함` ☞ 캐리어 농도
2. [반도체] 상태 밀도
ㅇ 반도체 상태 밀도
- 단위 부피 당, 단위 에너지 당 양자 상태의 수
- 단위 : [상태수/㎤ eV]
- 반도체 `재료의 물성`과 관계됨
3. [반도체] 상태 밀도 함수
ㅇ 허용된 양자 상태 밀도를 에너지의 함수로 나타낸 것
ㅇ 반도체 상태 밀도 함수 : D(E) [상태수/㎤ eV]
[# D(E) = \frac{1}{V}\frac{dN}{dE} = \frac{4π(2m)^{3/2}}{h^3} \sqrt{E}
= \frac{1}{2π^2}\left( \frac{2m}{\hbar^2} \right)^{3/2} \sqrt{E} #]
- D(E)dE 이면, 에너지 구간 dE에 있는 양자 상태의 단위 체적 당 밀도 [상태수/㎤]
ㅇ 전도대 및 가전자대 상태밀도 함수
- 전도대 전자 상태밀도
. 전도대 바닥 기준으로, (E - Ec)
. 유효질량 m → mn*
- 가전자대 정공 상태밀도
. 가전자대 천장 기준으로, (Ec - E)
. 유효질량 m → mp*
* [참고] ☞ 유효 상태 밀도 참조
. 전도대,가전자대 내 모든 에너지 상태를 단 하나의 에너지준위로 근사화하는 경우
4. [반도체] 캐리어 농도
ㅇ 캐리어 농도 이란?
- 단위 체적 당 입자(전자,정공)의 수 [입자수/㎤]
- ∫ ( 페르미 분포함수(점유확률) f(E) x 에너지상태 밀도함수 D(E) ) dE
ㅇ 입자 캐리어 농도 표현식
[# n = \int^{ΔE}_{E} f(E) D(E) \; dE #]
[입자수/㎤]
- D(E) : 에너지상태 밀도함수 [상태수/(㎤ eV)]
. 단위 에너지 당, 단위 체적 당 에너지 상태의 수
[# D(E) = \frac{1}{2π^2} \left( \frac{2m}{\hbar^2} \right)^{3/2} \sqrt{E}#]
- D(E) dE : 에너지 상태 수 [상태수/㎤]
. 미소 에너지 dE 에서, 단위 체적 당, 에너지 상태의 수
- f(E) : 상태 분포함수 ☞ 페르미 분포함수 [단위없음, 확률분포함수 값]
ㅇ 전자,정공 캐리어 농도 표현식
[# n_o = \int^{\infty}_{E_c} f(E)D(E) dE \\~\\
p_o = \int^{E_v}_{-\infty} [1-f(E)]D(E) dE #]