Photomasking, Exposure   노광, 노출

(2021-08-21)

1. 노광/노출 (Exposure, Photomasking)  

  ㅇ [사진술]    (원하는 감도에 맞춘 일정 광량)을 CCD,CMOS,필름에 조사하는 것

  ㅇ [집적공정]  포토 마스크 패턴웨이퍼 표면으로 옮기는 작업
     - 즉, 마스크를 통과하여 감광막이미지를 형성하는(새기는) 과정
        . 대부분 영역별 반복 노광 방식


2. [집적공정]  노광/노출 특징

  ㅇ 주요 장비 구성
     - 광원(광,전자빔,X선 등), 광학계, 정렬시스템, 웨이퍼 이동 장치

  ㅇ 방식 구분
     - 영상 인쇄 방식 (Shadow Printing)
        . Contact(접촉) 방식   : 웨이퍼마스크가 밀착
        . Proximity(근접) 방식 : 웨이퍼마스크 사이가 10~250 ㎛ 정도
     - 투영 인쇄 방식 (Projection Printing)

  ㅇ 주요 노광 광원
     - 자외선(UV)   : G-Line(486 ㎚),H-Line(406 ㎚), I-Line(365 ㎚)
     - DUV(Deep UV) : KrF(248 ㎚),ArF(193 ㎚),CaF(157 ㎚) 등으로 짧아지고 있음
     - E Beam       
     - X Ray


3. [집적공정]  노광/노출 관련 기타용어

  ㅇ 스테퍼 (Stepper) : 웨이퍼 수평 이동을 하며 노광하는 핵심 장치
     - 레티클의 큰 이미지를 4~10:1 정도로 축소 투영시킬 때 필요한 자동 정렬 노광 장치를 말함
        . 1장의 웨이퍼 상에 동일 칩 패턴이 여러 번 그려지므로,
        . 스텝 반복(step-and-repeaat) 방식이 가능하도록 하는 축소 투영 노광 정렬 장비
  ㅇ 정렬 (Alignment) : 노광을 위해 여러 마스크웨이퍼를 정확한 위치에 연이어 맞추는 일
  ㅇ 레티클 (Reticle) : 설계 도면의 5배 정도 크기로 패턴이 그려진 유리판



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