1. 전하(반도체 캐리어 등)의 이동 현상(Transport Phenomena)
ㅇ 이동(transport,transfer) = 표동(Drift) + 확산(Diffusion)
- 표동 : `전계(전위 기울기)`에 의한 전하 입자의 움직임
. 표동 전류밀도 ∝ 전하이동도(반도체 내 원자들의 충돌 등에 따른 이동 용이성)
. 주요 활용 例) FET, MOSFET 등
- 확산 : `농도 차이(기울기)`에 의한 전하 입자의 움직임
. 확산 전류밀도 ∝ 확산계수(반도체 농도 기울기에 따른 이동 용이성)
. 주요 활용 例) PN 접합 다이오드, BJT 등
※ [참고] ☞ 전하 운반체(이온,전자 등) 참조
2. 반도체 전류 흐름
ㅇ 반도체에서 전류 밀도 = 전자 및 정공의 (표동전류밀도 + 확산전류밀도)
ㅇ 전하 이동의 용이성을 나타내는 계수
- 표동의 용이성 : 전하 이동도 μ
- 확산의 용이성 : 확산 계수 D
ㅇ 확산계수 및 이동도 사이의 관계식 = 아인스타인 관계식
- 확산계수 및 이동도는 서로 무관치 않은 열역학적 유사성이 있음 (☞ 수송 현상 참조)