1. 도펀트, 도핑 이란?
ㅇ 도펀트 (Dopant)
- 의도적인 불순물
. 물질(재료) 또는 공정에 원하는 효과를 주기위해,
. 적정 농도로 고의로 첨가하는 원소 또는 화합물
- 특히, 반도체에서 전기전도도를 변화시키기 위해 의도적으로 넣어주는 불순물 등
ㅇ 도핑 (Doping)
- 의도적으로 불순물을 재료(반도체 등)에 넣는 과정
2. 반도체 도펀트 구분
ㅇ 도너 (Donor)
- 전자 생성 (전자를 내줌)
. 전자를 내주어, 잉여 전도전자를 생성하며, 자신은 양 전하를 띠게 되는 불순물 원자
- 보다 많은 전도전자들을 생성하기 위해, 의도적으로 주입됨
. 진성 반도체에 주입하는 `원자가가 5가(pentavalent)인` 원소 불순물
. 5개 가전자 중 4개 결합 후, 1개 잉여 전자가 어떤 원자에도 구속 않고, 전도 전자가 됨
- 例) P(인(燐),15), As(비소,33), Sb(안티몬,51), Bi(비스무스,83)
* n형 반도체
. 도너 불순물을 첨가한 반도체로써, 잉여 전도전자가 주된 전하 운반체로 작용함
ㅇ 억셉터 (Acceptor)
- 정공 생성 (전자를 받아들임)
. 전자를 받아들여, 정공을 생성하며, 자신은 음 전하를 띠게 되는 불순물 원자
- 보다 많은 정공들을 생성하기 위해, 의도적으로 주입됨
. 진성 반도체에 주입하는 `원자가가 3가(trivalent)인` 원소 불순물
. 3개 가전자 중 3개 결합 후, 모자라는 빈 자리가 정공이 됨
- 例) B(붕소,5), Al(알루미늄,13), 갈륨(Ga,31), In(인듐,49)
* p형 반도체
. 억셉터 불순물을 첨가한 반도체로써, 정공이 주된 전하 운반체로 작용함
3. 반도체 불순물 도핑 방법
※ (도핑을 통해, 조절된 양의 불순물 도펀트를 반도체에 넣음으로써, pn 접합을 만드는 공정)
ㅇ 확산 공정 : (1952년, Calvin Fuller)
- 깊은 접합 형성
ㅇ 이온 주입 공정 : (1958년, W.Schckley)
- 얕은 접합 형성