1. [BJT 동작영역] BJT 활성 영역 (Active)
ㅇ 바이어스 조건
- 1개 접합(이미터-베이스 접합)은 순 바이어스,
- 나머지 1개 접합(베이스-컬렉터 접합)은 역 바이어스
ㅇ 명칭
- `선형 동작`, `직선 영역`, `활성 영역`, `정상동작영역` 등으로도 불리움
2. [BJT 동작영역] BJT 활성영역의 특징
ㅇ 출력인 컬렉터 전류(IC)는 VBE에 의존성을 갖음
- 베이스 이미터 전압(VBE)의 변화에 반응함 (VBE 의존성이 큼)
. IC = Is exp(VBE/VT)
.. 여기서, exp(VBE/VT) >> 1로 가정
. VBE에 따른 IC의 의존성 척도 => 트랜스 컨덕턴스 gm
.. gm = ∂IC/∂VBE
- 컬렉터 이미터 전압(VCE)의 변화에는 그 값이 일정하여 의존성이 없음
ㅇ 전류증폭률이 큼
- IC = βIB, β≫1)
. 여기서, β : 공통 이미터 전류 이득 (β = 50 ~ 200 정도)
ㅇ 결과적으로 활성영역은, 주로 증폭기 동작에 사용됨
3. [BJT 동작영역] BJT 활성영역 하의 컬렉터 전류
ㅇ 베이스 이미터 전압(VBE)의 변화에 따른 컬렉터 전류
- 전압 vBE의 변화가 컬렉터 전류 IC의 변화를 주게되는 증폭 특성 있음
. IS : 포화전류
. VT = kT/e : 열전압(Thermal Voltage), 실온(T=300 K)에서 대략 26 mV
.. k : 볼츠만 상수 (1.381x10-23 [J/K])
.. T : 절대 온도 [K] (실온, T=300 K)
.. e : 전자 전하량 [C] (1.602 x 10-19 [C])
ㅇ 활성모드에서 소수 반송자 분포