EA   Electron Affinity   전자 친화도

1. 전자 친화도 (Electron Affinity) : EA

  ㅇ 개별 중성 원자가, 전자를 얼마나 쉽게 받아들일(추가할) 수 있는가의 척도
     - 주로, 기체 상태 하의 원자,이온이 1개의 전자를 얻는 것과 관련된 에너지 변화

     - 例) 기체(g) 상태의 1 mol의 F(플루오린) 원자가 1 mol의 전자를 얻는 과정
        .  F (g) + e- → F- (g) : EA = - 328 kJ 
           .. 즉, 전자친화도는, 음 이온 생성과 관련됨


2. 전자친화도,이온화에너지,일함수,전기음성도 비교

  ※ ☞ 전자친화도 이온화에너지 일함수 전기음성도 비교 참조
     - 원자 간 고립,결합 상태 성질에 따른 구분
        . 고립 상태인 원자의 성질 : 이온화 에너지 (전자를 잃음), 전자친화도 (전자를 얻음)
        . 결합 상태인 원자의 성질 : 일함수 (전자를 떼내는), 전기음성도 (전자를 받아들이는)


3. 반도체 분야에서 전자친화도

  ※ [분야별 의미 차이]
     - 위 일반 화학 분야에서는, 전자친화도를 주로 기체 상태 하에서 정의되나,
     - 고체 상태에 있는 반도체 분야는, 이와 약간 다른 관점 임

  ㅇ 진공 준위 (비 구속 상태)로부터 반도체 전도대 하단 (구속 상태)까지의 에너지 차이
     - 진공 준위에서 반도체 전도대 하단까지 전자 하나를 가져오는데 필요한 에너지
        . 표기 :  qχs  [eV]
        . 수치 例) : Si  4.05 [eV], Ge  4.14[eV], GaAs  4.07[eV], AlAs  3.5[eV],
                     SiO₂ 0.95[eV]
        . 특징 :  반도체 형 (p형,n형 반도체) 즉, 불순물 도핑과는 무관함