1. BJT 전류
ㅇ IE = IC + IB (by KCL)
※ [참고]
- 활성영역에서 만, `전류` 및 `전압` 모두가 의미 있음
- 차단영역,포화영역 하에서는, 전류는 별 의미 없고, `전압` 만 의미 있음
2. 활성영역에서, BJT 단자별 전류
※ 주로, 컬렉터 단자 전류와 타 단자 간의 관계에 관심을 갖음
- 즉, 베이스 이미터 전압(VBE),이미터 전류(IE),베이스 전류(IB) 간의 관계
ㅇ 컬렉터 전류
- IC = Is [ exp(vBE/VT) - 1 ] ≒ Is exp(vBE/VT)
. 여기서, exp(vBE/VT) >> 1로 가정
. VT는 열전압 ☞ 쇼클리 다이오드 방정식 참조
- IC = βIB ☞ BJT 전류 증폭률 참조
. β : 직류 베타 (공통 이미터 전류 이득)
.. 베이스 전류에 대한 컬렉터 전류의 증폭 정도를 나타냄
.. β≒ 50~200 정도,
. 단, 베이스 전류는, 대단히 작음 (컬렉터 전류의 1~2% 이하)
- IC = αIE ☞ BJT 전류 증폭률 참조
. α : 직류 알파 (공통 베이스 전류 이득)
.. 이미터 전류에 대한 컬렉터 전류의 증폭 정도를 나타내나,
.. 거의 1에 가까움
- 컬렉터 전류 특성 곡선 例)
ㅇ 베이스 전류
- IB = (1/β) IC = (1/β) Is exp(vBE/VT)
ㅇ 이미터 전류
- IE = IC + IB = (1 + 1/β) IC = (1+β)/β IC = (1/α) IC = (1/α) Is exp(vBE/VT)
. 여기서, IC = αIE, α는 공통 베이스 전류 이득
.. α≒1 (0.95~0.99) 즉, 컬렉터 및 이미터 전류는 거의 같음 (거의 이득 제공 안함)
ㅇ BJT 전류 이득(α,β) 간의 관계 ☞ BJT 전류 증폭률 참조
- α = β/(1+β), β = α/(1-α)
3. 활성영역에서, BJT 단자별 동작의 요약
ㅇ 컬렉터 측
- vBE는 지수적인 관계를 갖고 iC를 흐르게 함
- vCB가 역 바이어스인 한, iC는 컬렉터 전압에 영향 받지 않음
- 따라서, 활성모드에서 컬렉터 단자는 이상적인 정전류원으로 동작
ㅇ 베이스 측
- iB는 컬렉터 전류의 (1/β)배 (즉, iC = βiB)
ㅇ 이미터 측
- 이미터 전류는, 베이스 및 컬렉터 전류의 합 (즉, iE = iC + iB)
- 이미터 전류는, 컬렉터 전류 보다 약간 작음 (즉, iE ≒ iC)
4. 활성영역에서, 대신호 등가회로 모델
※ 증폭 응용
- 전압제어전류원(트랜스컨덕턴스)으로 동작하는 3단자 소자 특성으로부터,
- 베이스-이미터 전압 제어에 의해, 컬렉터 전류의 조절이 가능하며,
- 이를 통해 증폭 등에 이용할 수 있음 ☞ 증폭기 참조