1. 소신호 베이스 저항 (Small-signal Base Resistance) = BJT 입력 임피던스
ㅇ 베이스 쪽에서 바라본 소신호 저항 : rπ (또는, rb)
- [# r_π = \frac{v_{be}}{i_b} = \frac{\partial v_{BE}}{\partial i_B}
= \frac{\partial v_{BE}}{\partial (i_C/β)}
= β\frac{\partial v_{BE}}{\partial i_C} \approx β\frac{\partial v_{BE}}{\partial i_E}
= \frac{β}{g_m} = βr_e #]
* [참고]
. BJT : 베이스 쪽으로 바라본 소신호 저항이, 유한한 rπ로 보임
. MOSFET : 게이트 쪽으로 바라본 저항은, 거의 무한에 가까움
ㅇ 이미터 쪽에서 바라본 소신호 저항 : re
- [# r_e = \frac{\partial v_{BE}}{\partial i_E}
= \frac{V_T}{I_{EQ}} \approx \frac{V_T}{I_{CQ}} #]
: 소신호 이미터 저항
ㅇ 소신호 입출력 전달 컨덕턴스 ☞ 아래 3.항 참조
- [#g_m = \frac{\partial i_E}{\partial v_{BE}} #]
: 전달 컨덕턴스
2. 소신호 컬렉터 저항 = BJT 소신호 출력 저항
ㅇ 컬렉터 쪽에서 바라다본 소신호 출력 저항 : ro
3. 소신호 입출력 전달 컨덕턴스
ㅇ 증폭률(입력 전압 대 출력 전류)을 제공하는 척도 : gm
- 전압제어전류원(VCIS) 역할을 하면서, 증폭률(∂IC/∂VBE)을 제공하는 척도