Effective State Density   유효 상태 밀도

1. [반도체]  유효 상태 밀도 (Effective State Density : Dc, Dv 또는 Nc, Nv)

  ㅇ 특정 에너지 수준 (에너지밴드 극한점 부근) 및 공간 내, 전자가 존재할 수 있는 모든 에너지상태를,
     단 하나의 에너지상태로 환산하여 나타낸 값  
     
     - 상태의 수  = ∫ (유효 상태의 수 밀도 [1/㎤]) dv
     - 대략적인 값  :  ~ 1019 [1/㎤]


2. [반도체]  전도대 바닥, 가전자대 천장에서, 유효 상태 밀도

  ㅇ 전도대 바닥에서, 전자 유효 상태밀도 : Nc 또는 Dc
     - 전도대역 내 모든 에너지상태를 단 하나의 에너지상태 Ec로 환산
         
[# D_c = 2 \left( \frac{2πm^*_nkT}{h^2} \right)^{3/2} #]
 : 전도대 바닥 유효 상태밀도

  ㅇ 가전자대 천장에서, 정공 유효 상태밀도 : Nv 또는 Dv
     - 가전자대역 내 모든 에너지상태를 단 하나의 에너지상태 Ev로 환산
         
[# D_v = 2 \left( \frac{2πm^*_pkT}{h^2} \right)^{3/2} #]
 : 가전자대 천장 유효 상태밀도

  ㅇ 例) 300 [K]에서 유효 상태밀도 값
     - Si : Nc = 2.8 x 1019, Nv = 1.04 x 1019 [1/㎤]
     - Ge : Nc = 1.04 x 1019, Nv = 6.0 x 1018 [1/㎤]