MOSFET Transconductance   채널 컨덕턴스, MOSFET 전달 컨덕턴스

1. MOSFET 트랜스컨덕턴스

  ㅇ MOSFET 채널 컨덕턴스 (Channel Conductance) <= (물리적 관점)
     - gDS = (μnCox)(W/L)vov
        . gDS   :  채널 컨덕턴스 [A/V2]

        . μnCox
           .. `제조 공정`에 의해 결정되는 양

        . (W/L) :  트랜지스터 외형비(aspect ratio) [단위 없음]
           .. `소자 설계`에 의해 결정되는 양

  ㅇ MOSFET 전달 컨덕턴스 (Transconductance)   <= (단자 특성 관점)
     - 게이트 전압 변화에 대한 드레인 전류 변화의 比
       
        . VGS : 입력 게이트-소스 전압
        . ID  : 출력 드레인 전류


2. MOSFET 전류전압특성 

   

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