Channel Length Modulation   채널 길이 변조

(2024-01-03)

1. 채널 길이 변조 효과

  ㅇ 통상, MOSFET 동작영역포화 영역의 동작 형태가,
     - 드레인 전류(iD)가 드레인 소스 전압(vDS)에 무관하게 일정하다고 가정 함

  ㅇ 그러나, 실제로, 유효 전도채널 길이(L)가 드레인 전압(vDS)에 따라 변조(변화)되는 것 처럼 동작
     - vDS 증가하면, 공핍영역이 커짐에 따라, 유효 채널 길이 L 이 감소함

  ㅇ 따라서, 드레인 소스 전압 증가는 드레인 전류를 증가시킴
      
[# i_{\scriptsize{D}} = I_{\scriptsize{D}} (1 + λ v_{\scriptsize{DS}}) #]
- λ : `채널길이변조 계수`라고 하며, 채널길이효과를 나타냄 (이상적인 경우 λ = 0) 2. 채널 길이 변조 효과의 도식화 표현 ㅇ λ : 채널길이변조 계수 (얼리효과 반영)

[MOSFET 동작 ⇩]1. MOSFET 동작영역   2. 트라이오드 영역   3. 포화 영역   4. 전류전압특성(VI특성)   5. 전압전달특성(VTC)   6. 전도 채널   7. 핀치 오프   8. 채널길이변조   9. 몸체 효과  

  1. Top (분류 펼침)      :     1,591개 분류    6,514건 해설

"본 웹사이트 내 모든 저작물은 원출처를 밝히는 한 자유롭게 사용(상업화포함) 가능합니다"
     [정보통신기술용어해설]       편집·운영 (차재복)          편집 후원          편집 이력