[정보통신기술용어해설] |
MOSFET 등가회로 | (2022-05-30) |
MOSFET 소신호 등가회로, MOSFET 대신호, MOSFET 소신호 |
1. MOSFET 대신호 등가회로 ㅇ MOSFET 동작영역 별로 다음과 같은 등가회로 가능 - 포화영역 등가회로 - 트라이오드영역 등가회로 - 깊은 트라이오드영역 등가회로 2. MOSFET 소신호 등가회로 ㅇ MOSFET 소자 내부 동작 특성을 전류원,저항 등으로 모델화시킨 등가회로 ㅇ 전압 제어 전류원 (VCCS) 모델 - 입력 전압 vgs에 의해, 출력 전류 gmvgs (드레인 전류)가 조절됨 - 여기서, 입력 저항, 출력 저항 모두가 거의 무한대로 가정됨 - 얼리 효과(채널길이변조 효과)를 고려하지 않은, 등가회로 모델임 ㅇ 하이브리드 π 모델 - ro : MOSFET 출력 저항 (보통 10 ~ 1000 kΩ) - MOSFET 소신호 모델 파라미터인, ro 및 gm은, . 직류 바이어스 점에 의존함 - 얼리 효과(채널길이변조 효과)를 고려한, 등가회로 모델임 ㅇ T 모델