[정보통신기술용어해설] |
Channel Length Modulation 채널 길이 변조 | (2024-01-03) |
1. 채널 길이 변조 효과 ㅇ 통상, MOSFET 동작영역 중 포화 영역의 동작 형태가, - 드레인 전류(iD)가 드레인 소스 전압(vDS)에 무관하게 일정하다고 가정 함 ㅇ 그러나, 실제로, 유효 전도채널 길이(L)가 드레인 전압(vDS)에 따라 변조(변화)되는 것 처럼 동작 - vDS 증가하면, 공핍영역이 커짐에 따라, 유효 채널 길이 L 이 감소함 ㅇ 따라서, 드레인 소스 전압 증가는 드레인 전류를 증가시킴[# i_{\scriptsize{D}} = I_{\scriptsize{D}} (1 + λ v_{\scriptsize{DS}}) #]- λ : `채널길이변조 계수`라고 하며, 채널길이효과를 나타냄 (이상적인 경우 λ = 0) 2. 채널 길이 변조 효과의 도식화 표현 ㅇ λ : 채널길이변조 계수 (얼리효과 반영)