1. Synchronous DRAM (SDRAM)
ㅇ 시스템 클럭을 사용하여 CPU와 입출력을 동기화하는 DRAM의 다양한 종류를 모두 일컫는 말
- 메모리 콘트롤러가 아닌, 시스템 클럭에 직접 동기화시키는 DRAM 방식
* 기존 DRAM의 비동기식 방식은,
- 메모리 콘트롤러 제어 하에, 시스템 버스를 통해서만, CPU,메모리 간에 데이터를 교환함
- 따라서, 메모리 엑세스 동안에, CPU 및 시스템 버스는 다른 용도로 사용 못함. 즉, 낭비됨
* SDRAM의 동기식 방식은,
- 메모리 엑세스 및 데이터 전송 동작이, 시스템 클럭 신호에 동기화되어 수행됨
2. SDRAM 구분
ㅇ SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM)
- 각 클록 펄스의 상승 또는 하강하는 시점에서 한 번 만 데이터를 전송
ㅇ DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM)
- 각 클록 펄스의 상승,하강 시점 모두에서 데이터 전송
- SDR 보다 2배 속도 가능
3. DDR SDRAM (Dual Data Rate SDRAM) : (DDR2, DDR3, DDR4, DDR5, DDR6)
※ 특징
- 클록의 상승,하강 에지 모두에서 데이터 전송 (Dual Data Rate)
- 세대가 바뀔수록 전송속도 증가
- 동작 전압 감소로 소비 전력 절감
- 듀얼 채널, 멀티 채널 메모리 구성 지원
ㅇ DDR2
- 작동 전압 : 1.8 V, 핀수 : (PC DIMM) 184, (노트북 SO-DIMM) 200
. 60 nm DDR2 : 2.5 V
ㅇ DDR3
- 작동 전압 : 1.5 V, 핀수 : (PC) 240, (노트북) 204
. 30 nm DDR3 1.5 V
ㅇ DDR3L
- 작동 전압 : 1.35 V, 핀수 : (PC) 240, (노트북) 204
. 20 nm DDR3L 1.35 V
ㅇ DDR4
- 작동 전압 : 1.2 V, 핀수 : (PC) 284, (노트북) 284
. 18 nm DDR4 1.2 V
ㅇ DDR5
- 작동 전압 : 1.1 V, 핀수 : (PC) 288, (노트북) 262
. PMIC(Power Management IC)를 모듈에 내장
. 온다이 ECC(On-die ECC) 적용
. DDR4 대비 더 높은 대역폭 및 용량 지원
ㅇ DDR6
- 차세대 DDR 규격 (개발 중)
- DDR5보다 더 높은 전송속도와 대역폭 목표
- 저 전력 및 고 용량 메모리 지원 예정