집적공정 용어

1. 집적공정 관련 용어

  ㅇ 반도체 8대 공정      ☞ 반도체 집적공정 참조
     - 웨이퍼 제조, 산화 공정, 포토 공정 (포토 리소그래피), 식각 공정, 증착 및 이온주입 공정,
       금속 배선 공정, EDS 공정, 패키지 공정

  ㅇ 세정 공정 (Cleaning)
     - 제조 환경, 청정화, 표면 세척 등을 모두 포함
        . (클린룸, 웨이퍼 세척, 게터링 등)
     - 주로, 오염 물질을 웨이퍼 표면에서 제거하는 공정
        . 초기 실리콘 웨이퍼 세정 및 각 단위 공정의 전후에 (사이사이에) 세정 실시
     - 오염 물질 例)
        . 자연 산화막, 흡수 분자, 유기물, 무기물, 음이온, 양이온 금속, 입자 등

  ㅇ 게터링 (Gettering)
     - 반도체 웨이퍼 내에 오염 물질(중금속이나 나트륨 등 알칼리 금속)을 포획시켜,
       이들을 비활성화시키는 공정
        . 확산 속도 차이 등을 이용

  ㅇ 금속 배선 기술 (Metallization)
     - 집적회로 내 소자의 내부연결/배선(Interconnect) 기술
        . 재료 : 전기저항이 낮고, 유전체 표면에 잘 부착되는 금속(알루미늄,구리 등)을 사용
        . 배선 : 금속은 증착기술로 증착하고, 내부연결 형상은 리소그래피,식각 공정으로 만듬

  ㅇ 화학 기계적 연마 (CMP, Chemical Mechanical Polishing)
     - `기계적인 연마(Polishing)`와 `화학적인 식각(Etching)/침식(Erosion)`의 복합 작용으로써,
        . (화학 반응성 용액에 산재된 나노 크기의 연마 분말을 사용)
     - 표면에서 소재를 원하는 만큼 제거하는,
        . (주로, 웨이퍼에 증착된 필름의 제거 등으로, 표면을 평평하게 해줌)
     - `평탄화 공정 (Planarization)`

  ㅇ 전자 이탈 현상 (Electronmigration)
     - 도체에서 전류를 운반하는 전자의 운동량이 원자로 전이되어 원자가 이동/이탈되는 현상
        . 例) 집적회로 내 알루미늄 금속선이 전류로 인해 없어지는 등

  ㅇ 평면 기술 (Planar Technology)
     - 웨이퍼 기판 위에 단계적으로 층층이 쌓아서 회로를 만들어가는 공정 기술
     - 주요 공정 例
        . 실리콘 산화물(SiO)층 형성  :  산화 공정
        . 산화물 일부 선택적 제거    :  사진 식각 공정
        . 웨이퍼 표면에 도펀트 주입  :  이온 주입 공정
        . 웨이퍼 내부에 도펀트 확산  :  확산 공정

  ㅇ 반도체 테스트
     - 형태별 : 웨이퍼 테스트, 패키지 테스트
     - 항목별 : 온도별 테스트(고온, 저온, 실온), 속도별 테스트(core, speed),
                동작별 테스트(dc, ac, 기능)