BJT Active Region, BJT Active Mode   BJT 활성 영역, BJT 활성 모드

(2017-01-17)

선형 동작, 직선 영역, 정상동작 영역, 활성 영역, 활성 모드, 능동 영역

1. [BJT 동작영역]  BJT 활성 영역 (Active)바이어스 조건
     - 1개 접합(이미터-베이스 접합)은 순 바이어스, 
     - 나머지 1개 접합(베이스-컬렉터 접합)은 역 바이어스

  ㅇ 명칭
     - `선형 동작`, `직선 영역`, `활성 영역`, `정상동작영역` 등으로도 불리움


2. [BJT 동작영역]  BJT 활성영역 특징
 
  ㅇ 출력인 컬렉터 전류(IC)는 VBE에 의존성을 갖음
     - 베이스 이미터 전압(VBE)의 변화에 반응함 (VBE 의존성이 큼)
        .  IC = Is exp(VBE/VT)
           .. 여기서, exp(VBE/VT) >> 1로 가정

        .  VBE에 따른 IC의 의존성 척도 => 트랜스 컨덕턴스 gm
           .. gm = ∂IC/∂VBE

     - 컬렉터 이미터 전압(VCE)의 변화에는 그 값이 일정하여 의존성이 없음

  ㅇ 전류증폭률이 큼
     -  IC = βIB, β≫1)
        . 여기서, β : 공통 이미터 전류 이득 (β = 50 ~ 200 정도)

  ㅇ 결과적으로 활성영역은, 주로 증폭기 동작에 사용됨


3. [BJT 동작영역]  BJT 활성영역에서 컬렉터 전류

  ㅇ 베이스 이미터 전압(VBE)의 변화에 따른 컬렉터 전류
     
     - 전압 vBE의 변화가 컬렉터 전류 IC의 변화를 주게되는 증폭 특성 있음
        . IS : 포화전류
        . VT = kT/e : 열전압(Thermal Voltage), 실온(T=300 K)에서 대략 26 mV 
           .. k : 볼츠만 상수 (1.381x10-23 [J/K])
           .. T : 절대 온도 [K] (실온, T=300 K)
           .. e : 전자 전하량 [C] (1.602 x 10-19 [C])

  ㅇ 활성모드에서 소수 반송자 분포
     


[트랜지스터 동작] 1. BJT 동작영역 2. BJT 활성영역 3. 포화 영역 4. MOSFET 동작영역 5. 전압전달특성(VTC) 6. 얼리 효과
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