FET   Field Effect Transistor   전계효과 트랜지스터

(2017-01-17)
1. 전계효과 트랜지스터 (FET, Field Effect Transistor)

  ㅇ 단극형 트랜지스터
     - 전자,정공 중 1개 형의 전하(다수캐리어) 만에 의한 동작 (다수캐리어 디바이스)

  ※ FET는 BJT 이전 1920~30년도에 이미 발명특허되었지만, 제조상의 어려움 때문에
     그 실용적인 개발은 BJT 개발 이후 1960년대에 이르러서야 본격 개발되기 시작함

  ※ FET는 산업계에서 주로 MOSFET를 지칭함


2. FET 특징전압 제어 전류원 소자
     - 인가 전압에 의해 발생한 전계를 이용하여 전류제어

  ㅇ 제조가 쉽고 집적도가 좋음

  ㅇ 온도 유지 특성이 좋으며, 크기가 작음


3. FET 종류 JFET
     - 게이트가 전도채널 양쪽에서 2개의 역 바이어스pn 접합에다가,
       인가하는 게이트 전압으로 다수캐리어 흐름을 조절하여 전류 제어MOSFET
     - 게이트전도채널로부터 절연되어 있다는 점에서 JFET와 다름
     - 이때문에, IGFET(Insulated-gate FET,절연 게이트 FET)라고도 불리어짐


[트랜지스터 구분] 1. BJT 2. FET 3. JFET 4. MOSFET 5. CMOS 6. 박막 트랜지스터
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