집적공정 용어

(2021-02-09)

Gettering, 게터링, Metallization, 금속 배선 기술, CMP, 화학 기계적 연마, Electronmigration, Planar Technology, 평면 기술

1. 집적공정 관련 용어

  ㅇ 게터링 (Gettering)
     - 반도체 웨이퍼 내에 오염 물질(중금속이나 나트륨알칼리 금속)을 포획시켜 비활성화
       시키는 공정
        . 확산 속도 차이 등을 이용

  ㅇ 금속 배선 기술 (Metallization)
     - 집적회로 내 소자의 내부연결/배선(Interconnect) 기술
        . 재료 : 전기저항이 낮고, 유전체 표면에 잘 부착되는 금속(알루미늄,구리 등)을 사용
        . 배선 : 금속증착기술로 증착하고, 내부연결 형상은 리소그래피,식각 공정으로 만듬

  ㅇ 화학 기계연마 (CMP, Chemical Mechanical Polishing)
     - 기계적인 연마(Polishing)와 화학적인 식각(Etching)/침식(Erosion)의 복합 작용으로써,
     - 표면에서 소재를 원하는 만큼 제거하는 `평탄화 공정(Planarization)`

  ㅇ 전자 이탈 현상 (Electronmigration)
     - 도체에서 전류를 운반하는 전자운동량원자로 전이되어 원자가 이동/이탈되는 현상
        . 例) 집적회로알루미늄 금속선이 전류로 인해 없어지는 등

  ㅇ 평면 기술 (Planar Technology)
     - 웨이퍼 기판 위에 단계적으로 층층이 쌓아서 회로를 만들어가는 공정 기술
     - 주요 공정 例
        . 실리콘 산화물(SiO2)층 형성            : 산화 공정
        . 산화물 일부 선택적 제거               : 사진 식각 공정
        . 웨이퍼 표면도펀트 주입             : 이온 주입 공정
        . 웨이퍼 내부에 도펀트 확산             : 확산 공정반도체 테스트
     - 형태별 : 웨이퍼 테스트, 패키지 테스트
     - 항목별 : 온도별 테스트(고온, 저온, 실온), 속도별 테스트(core, speed),
                동작별 테스트(dc, ac, 기능)


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