Semiconductor Memory   반도체 메모리, 메모리

(2019-06-22)

메모리

1. 반도체 메모리 (Semiconductor Memory)반도체 기술에 의해 만들어진 메모리 소자


2. 반도체 메모리 구분

  ㅇ Access 방법
     - SAM(Sequential Access Memory) : Magnetic Tape 등
     - RAM(Random Access Memory)     : 거의 모든 반도체 메모리

  ㅇ 전원을 끄고도 정보가 지워지지 않는지 여부
     - 휘발성(Volatile) RAM  : 전원 공급 중단되면 데이터 소실 (고속)
        . SRAM(Static RAM)  : 트랜지스터 구조를 메모리셀로 사용
           .. 전원 공급 동안에는 저장 내용 그대로 유지
        . DRAM(Dynamic RAM) : 트랜지스터,커패시터 구조를 메모리셀로 사용 
           .. 주기적 Refresh 필요
           .. 구분 : SDRAM (Synchronous Dynamic RAM), RDRAM (Rambus DRAM), 
                     DDR SDRAM (DDR2, DDR3, DDR4)

     - 비휘발성(Non-volatile) ROM : 전원 공급 중단되어도 데이터 소실 없음 (저속)
        . OTP(One Time Prgrammable ROM) : 처음 한번만 쓰기 가능
        . PROM(Prgrammable ROM) : 여러번 쓰고 지우기 가능 (EEPROM, EPROM, Flash Memory)
        . 플래시 메모리 : 개인용 휴대기기에서 2차 메모리로써 많이 사용됨

     - 비휘발성(Non-volatile) RAM (NVRAM) : 비휘발성이나 RAM 속도 가능 (중속)
        . FeRAM
        . FRAM
        . MRAM : 자화 방향이 주위와 반대인 자기 버블(기포) 현상을 메모리에 이용한 것
           ..  보통의 반도체 메모리에 비해 대용량화,비휘발성,구동부분이 없는 등 유리


3. 반도체 메모리 관련 주요 용어

  ㅇ 메모리 셀(Memory Cell)   : 메모리 칩 내부의 단위 1 비트를 저장하는 소자
  ㅇ 메모리 워드(Memory Word) : 한번에 읽고쓸수있는 비트 그룹(8 비트,64 비트 등)
  ㅇ 저장 용량/밀도(Memory Capacity) : 메모리 칩 하나에서 저장할 수 있는 총 비트 수
  ㅇ 메모리 뱅크(Memory Bank) : 기억장치를 분할시켜 각각 독립적으로 접근할 수 있는 
                                논리적으로 구성되는 단위


[반도체 메모리] 1. 반도체 메모리 2. RAM 3. DRAM 4. SRAM 5. NVRAM 6. SDRAM 7. ROM 8. PROM(EPROM,EEPROM) 9. 플래시 메모리 10. NAND 플래시 메모리
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