Memory Unit, Memory Device   기억 장치, 메모리

(2019-07-22)

메모리, Main Memory, 주 기억장치

1. 기억 장치 (메모리)전자적 수단에 의해 기억 및 기록 능력을 실현시키는 장치/소자 
     - 전자의 유무, 전압의 고저, 자기적 극성, 빛의 반사율 등에 의함

  ㅇ 2진 정보의 쓰기/읽기/검색이 가능한 다수의 메모리 셀(Memory Cell)로 구성된 디지털시스템


2. 컴퓨터 기억장치의 구분 (H/W 관점)캐쉬 메모리(Cache Memory)
     - CPU와 주 기억장치 등 간에 속도 최적화,임시 기억 등을 위한 고속의 메모리 
        . 플립플롭(Flip-flop), 레지스터(Register), 고속의 SRAM 등

  ㅇ 주 기억장치(Main Memory)/시스템 메모리(System Memory)
     - 주로, 반도체 메모리 소자를 말함                      ☞ 반도체 메모리 (RAM,ROM) 참조
        . CPU가 현재 작업하고 있는 프로그램,데이터를 저장하고, 이를 직접 처리 가능
        . 작은 데이터(보통,워드 단위)로 불규칙 접근/처리를 할 수 있어야 함
     - 크게, RAM (임의 접근 메모리) 및 ROM (읽기 전용 메모리) 으로 구분
     - 통상, 메모리 이라하면, 주기억장치를 일컬으며, 
             현재 운영(랜덤 억세스 가능) 중인 데이터가 저장되고 처리되는 공간을 제공함

  ㅇ 보조 기억장치(Auxiliary Memory)/대용량 메모리(Mass Memory)
     - 대용량 정보를 저장하기 위한 자기 디스크,플래시 메모리,광 디스크 등과 같은 저장장치
        . CPU가 직접 처리하지 않고, 별도의 제어기를 통해 접근 가능
        . 큰 데이터 덩어리(보통,512 바이트 등)로 읽고쓰는 블록 지향 장치
     - 주로, 순차적적인 메모리로써, 저장 위치에 따라 정보 접근에 걸리는 시간이 달라짐
     - 통상, 저가격으로 데이터 변경은 가능하지만, 영구적인 저장소로써, 모든 것이 저장된 곳

  ㅇ 가상 메모리(Virtual Memory)
     - 부족한 주기억장치를 보조기억장치로 확장 
        . (실제 보다 더 많은 메모리를 갖는 것 처럼 동작)


3. 컴퓨터 기억장치의 구분 (S/W 관점, Runtime 실행 차원)

  ※ ☞ 런타임 메모리 참조
     - 프로그램 관점에서, 메모리 상에 일시적으로 데이터를 기억해두는 영역
     - 종류 : 영구 메모리, 동적 자동 메모리(스택 메모리), 힙 메모리, 자유 영역 등


4. 기억장치의 관련 용어

  ※ ☞ 기억장치 용어 참조
    - 메모리 셀(Memory Cell), 메모리 주소, 읽기/쓰기 동작, 메모리 용량 등


5. 기억장치(메모리 시스템)의 계층 구조

  ㅇ 서로 다른 속도 및 크기를 갖는 여러 계층의 메모리를 사용하는 구조
     - (CPU) ↔ (캐쉬메모리) ↔ (주메모리) ↔ (보조메모리, 자기디스크 등)
     * 상위 계층일수록,
        . 더 빠른 접근시간(우수한 성능), 더 높은 비트비용, 더 적은 에너지 소비를 지향함

  ㅇ 참조의 지역성(locality of reference) 원칙을 이용하여 계층적 설계를 도모함
     - 시간적 지역성 : 최근에 접근했던 데이터들을 프로세서 가까이에 위치시킴
     - 공간적 지역성 : 최근에 접근했던 데이터와 인접한 데이터들을 블록화시킴

  ㅇ 컴퓨터 구조 상의 많은 부품들이 기억장치 계층 구조와 관련이 깊음
     - 例) 캐시 메모리는, CPU와 가장 가까이 있는 장치
     - 例) 프로세서메모리관리장치(MMU)는, 가상메모리를 지원하는 장치


[주 기억장치] 1. 기억장치 2. 기억장치 용어 3. CAM 4. MMU 5. 캐쉬 메모리 6. 가상 메모리 7. 런타임 메모리 8. 메모리 맵핑
[반도체 메모리]

 
        최근수정     요약목록     참고문헌