Drain Resistance   드레인 저항, MOSFET 출력 저항

(2013-12-09)
1. 소신호 드레인 저항MOSFET에서 채널길이변조 효과에 의해 나타나는 소신호 드레인 저항 성분
     

     - IDQ채널길이변조(얼리효과)를 고려하지 않은 직류 드레인 전류MOSFET포화영역 동작에서 드레인 소스 전압 vDS 증가에 따라,
     드레인 전류 iD가 증가하는 채널길이변조 효과를 갖음 
     

     - 얼리효과에 의해 드레인 전류 ID가 드레인 소스 전압 VDS선형적으로 의존


[등가회로 모델] 1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델) 2. Ebers-Moll 모델 3. 이미터,베이스 저항 4. 트랜스 컨덕턴스 5. h 파라미터 6. MOSFET 등가회로 7. 드레인 저항

 
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