1. NAND 플래시 메모리
ㅇ 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 DRAM과는 달리,
- 전원이 꺼져도 정보를 저장하는 비휘발성 메모리로써,
- 내부 회로 구조가 NAND형으로 되어있음
2. NAND Flash 특징
※ NAND 플래시 메모리는,
- 용량이 수십기가 바이트 이상으로 집적도가 증가하고,
- 대량생산에 따른 가격 하락이 점차 커짐으로써,
- 메모리 보다는 저장장치인 HDD 대체 가능성이 있음
ㅇ 용도
- 메모리 카드, 디지털 카메라, MP3 등 데이터 저장용으로,
- 주로 이동형디지털기기에 많이 사용
3. NAND Flash 구조
ㅇ 셀 기본 구조
- MOSFET가 게이트가 2개(CG,FG)인 점을 제외하면 동일한 형태
. 즉, Poly-Si 물질의 FG(Floating Gate)라는 게이트를 하나 더 추가한 형태
. CG (Control Gate) : 전압 제어
. FG (Floating Gate)
.. 전기적으로 고립됨 (산화막에 의해 둘러싸임)
.. 전하 저장됨
.. FG 전위는 CG 게이트 전압에 의해 조절됨
ㅇ 구분
- SLC (Single Level Cell) : 셀 당 1 비트 저장
- MLC (Multi Level Cell) : 셀 당 2 비트 저장
- 2D NAND, 3D NAND
4. NAND Flash 동작
ㅇ 3대 동작(operation) : program, erasure, read
- 수직축 이동 : program, erasure
- 수평축 이동 : read
ㅇ 기록 및 판독 방식
- 기록 (program) : 절연된 FG에 고 전압을 인가하여 전하를 주입
- 판독 (read) : FG 전하 유무에 따라 달라지는, FET Source-Drain 전류차를 이용
. (Vgate=0 V)하에서, 0 (ON, 셀 전류 흐름), 1 (OFF, 셀 전류 안 흐름)으로 판단