1. 노광 / 노출 (Exposure, Photomasking)
ㅇ [사진술] 원하는 감도에 맞추어, 일정 광량(빛)을, CCD,CMOS,필름에 조사하는 것
- 즉, 사진의 밝기를 조절하는 것
. 따라서, 제대로 된 밝기(태양광/주광)를 위해,
. 감도(감응능력),셔터(열린시간),조리개(열린구멍)를 조절해야 함
- 노출 값 (Exposure Value, EV 값)
. F 수(열린 크기)와 셔터(노출 시간)의 조합에 의해, 광량 통과 능력을 나타냄
. (관계식) [# E_v = \log_2 \frac{A^2}{t} #]
.. ({#E_v#} : EV값, {#A#} : F 수, {#t#} : 노출 시간)
ㅇ [집적공정] 포토 마스크 패턴을 웨이퍼 표면으로 옮기기 위해 필요한 작업
- 즉, 빛이 마스크를 통과하여 감광막에 이미지를 형성하는(새기는) 과정
. 대부분, 영역별 반복 노광 방식을 취함
2. [집적공정] 노광/노출 특징
ㅇ 주요 장비 구성
- 광원(광,전자빔,X선 등), 광학계, 정렬시스템, 웨이퍼 이동 장치
ㅇ 방식 구분
- 영상 인쇄 방식 (Shadow Printing)
. Contact(접촉) 방식 : 웨이퍼와 마스크가 밀착
. Proximity(근접) 방식 : 웨이퍼와 마스크 사이가 10~250 ㎛ 정도
- 투영 인쇄 방식 (Projection Printing)
ㅇ 주요 노광 광원
- 자외선(UV) : G-Line(486 ㎚),H-Line(406 ㎚), I-Line(365 ㎚)
- DUV(Deep UV) : KrF(248 ㎚),ArF(193 ㎚),CaF(157 ㎚) 등으로 짧아지고 있음
- E Beam
- X Ray
3. [집적공정] 노광/노출 관련 기타용어
ㅇ 스테퍼 (Stepper) : 웨이퍼 수평 이동을 하며 노광하는 핵심 장치
- 레티클의 큰 이미지를 4~10:1 정도로 축소 투영시킬 때 필요한 자동 정렬 노광 장치를 말함
. 1장의 웨이퍼 상에 동일 칩 패턴이 여러 번 그려지므로,
. 스텝 반복(step-and-repeaat) 방식이 가능하도록 하는 축소 투영 노광 정렬 장비
ㅇ 정렬 (Alignment) : 노광을 위해 여러 마스크 및 웨이퍼를 정확한 위치에 연이어 맞추는 일
ㅇ 레티클 (Reticle) : 설계 도면의 5배 정도 크기로 패턴이 그려진 유리판