집적공정, 반도체 집적공정

(2016-11-19)
1. 반도체 집적공정

  ㅇ 소자에 따라 다르지만, 각 단위공정의 반복 및 조합으로, 수백 스텝의 공정단계를 거침


2. 웨이퍼 제조 공정 (결정 성장)Si 다결정Si 단결정Si 웨이퍼
    - purification, shaping, polishing, cleaning


3. 회로 설계 관련 공정회로 설계(논리회로 설계) → 패턴 설계마스크 제작


4. 기판 위 디바이스 제조 공정실리콘 산화물(SiO2)층(산화막) 형성    : 산화막 공정
  ㅇ 산화물 일부 선택적 제거               : 식각 공정
  ㅇ 웨이퍼 표면에 도펀트 주입             : 이온 주입 공정
  ㅇ 웨이퍼 내부에 도펀트 확산             : 확산 공정금속층, 절연층, 지지층 등 박막 형성   : 박막 공정

  ※ 평면 공정(Planar Process) 기술
     - 단결정 위에 소자를 집적시키는 기술 (산화막 형성이 중요함)

  ※ 주요 공정 구분
     - 회로 소자 영역별 정의 공정         : 포토 리소그래피
     - 웨이퍼 위에 물질 첨가 공정         : 산화막, 증착, 이온주입
     - 웨이퍼로부터 불필요 물질 제거      : 식각


5. 기타 공정

  ㅇ 불순물(오염물질) 최소화               : 세정 공정(클린룸,웨이퍼 세척,게터링 등)
     - 제조 환경, 청정화, 표면 세척 등을 모두 포함
        . 실리콘 웨이퍼 세정 및 각 단위 공정의 전후에 세정 실시

  ㅇ 반도체 소자로 제조하는 마지막 단계 : 패키징 (반도체 칩을 실장하는 과정)
     - 한편, 패키징 이전의 일체의 과정을 패브리케이션(FAB) 이라고 함


[집적공정] 1. 집적 공정 2. 결정 성장 3. 리소그래피 4. 증착 5. 식각 6. 도핑(확산,이온주입) 7. 산화
[결정 성장] [증착] [리소그래피] [집적공정 참고용어]
  1.   기술공통
  2.   기초과학
  3.   파동/광학/음향
  4.   방송/멀티미디어/정보이론
  5.   전자/전기/제어
        1. 전기전자공학
    1.   디지털공학
    2.   신호 및 시스템
    3.   회로해석
    4.   전자기학
    5.   초고주파/RF 공학
    6.   반도체/물리전자공학
      1.   도체 전도성
      2.   반도체 기초
      3.   반도체 재료
      4.   반도체 에너지밴드
      5.   반도체 평형상태
      6.   반도체 전하 이동
      7.   반도체 접합
      8.   다이오드
      9.   트랜지스터
      10.   집적공정
            1. 집적 공정
            2. 결정 성장
            3. 리소그래피
            4. 증착
            5. 식각
            6. 도핑(확산,이온주입)
            7. 산화
        1.   결정 성장
        2.   증착
        3.   리소그래피
        4.   집적공정 참고용어
    7.   전자회로
    8.   전기공학
    9.   자동제어
    10.   전자공학(기타일반)
  6.   통신/네트워킹
  7.   정보기술(IT)
  8.   기계/재료/공업일반
  9.   표준/계측/품질
  10.   기술경영

 
        최근수정     모바일웹     참고문헌