Lithography, Photo-lithography   리소그래피, 리소그라피, 광 리소그래피, 포토 리소그래피

(2023-12-14)

1. 리소그래피(Lithography), 광 리소그래피(Photo-lithography)

  ㅇ [인쇄]    원래, 리소그래피는, 석판 인쇄 또는 평판 인쇄라고 하는 것
     - 어원 : 라틴어 합성어 `lithos`(돌) + `graphy`(그림,글자) 
     - 오늘날의 오프셋 인쇄의 근본이 된 기술
     - 표면의 요철을 이용하지 않고, 물과 기름이 섞이지 않는 원리를 이용한, 평판 인쇄의 한 종류

  ㅇ [반도체]  웨이퍼 표면마스크 패턴 이미지광학적으로 옮기는 공정
     - 웨이퍼 상에 회로구조를 광학적으로 인쇄하는 것
     - 뒤이어 이온주입식각 공정이 이루어짐


2. 리소그래피 공정

  ㅇ 공정 요약
     - 마스크 패턴 이미지에 따라 웨이퍼 표면감광막(포토 레지스트)에 도달하면,
     - 감광막에 반응하여 화학반응을 일으켜, 광학패턴이 옮겨짐

  ㅇ 공정 순서
     - 실리콘 웨이퍼 세정 및 표면 처리
     - 스핀 코팅/도포(Spin Coating)  :  웨이퍼 전체에 균일 두께의 감광제를 입히는 과정
     - 소프트 베이크(Soft Bake)  :  마르지 않은 감광제 용제를 증발시키는 열처리 과정
     - 노광/노출(Exposure)  :  포토 마스크[IC] 패턴웨이퍼 표면광학적으로 옮기는 작업
     - 현상(Develope)  :  식각 시킬 부위의 감광막 제거 및 패턴이 드러나는 과정
        . 현상이 끝나면, 정제수로 감광제를 제거,건조시키게 됨
     - 하드 베이크(Hard Bake)  :  잔류 용제를 증발시켜 막의 밀착력 향상
        . 막의 정밀도를 높이고, 변형에 강하게 하여, 식각 등 후속 공정을 위한 마무리 과정

  ㅇ 후속 공정 : 식각 등
     - 식각(Etching) : 노광 과정 후 원하는 부위 만 선택적으로 제거시키는 공정
     - 제거(Removing): 감광제를 제거(Strip)하는 등을 포함한 세정(Cleaning) 공정


3. 리소그래피 구성 요소포토 레지스트(감광제)
  ㅇ 포토 마스크노광 장치


4. 리소그래피 공정의 특징 반도체 고 집적, 미세화 기술은, 거의 리소그래피 기술 발전에 의존
  ㅇ 제조 공정의 60% 정도, 생산 원가의 20% 이상을 차지하는 중요 공정
  ㅇ 산화막, 폴리실리콘막, 금속 배선막 등에 반복적으로 수십회를 거치게 되는 공정

리소그래피
   1. 리소그래피   2. 감광제   3. 마스크   4. 노광  


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