Wafer   Silicon Wafer, Semiconductor Wafer, Silicon Ingot   웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 반도체 웨이퍼, 실리콘 잉곳

(2016-10-16)

Substrate, 반도체 기판

1. 실리콘 잉곳(Ingot)

  ㅇ 직경 20 또는 30 ㎝, 길이 1 m 정도의 원기둥 형태의 단일 결정 실리콘 덩어리
     - 이 잉곳다이아몬드 톱으로 썰어서 기계적,화학적 polishing을 거쳐 얇은 원판
       형태의 웨이퍼를 만들게됨

     - 집적도를 높이도록 점점 커지는 경향 : 200㎜(1960), 300㎜(2001), 450㎜(2012) ~


2. 반도체 웨이퍼(Wafer)

  ㅇ 표면을 매끈하게 다듬고, 순도가 매우 높도록 제작된 단결정 기판
     - 이 기판은 그 위에 반도체의 성장을 결정(구조 및 종류)하는 기반으로써,
       반도체 소자 제작의 시발점이 됨
        . 웨이퍼 상에 회로에 대응되는 패턴화된 마스크를 형성시키고,
        . 마스크에 있는 개구부들을 통하여 선택적으로 도펀트들을 주입하게됨

  ㅇ 직경 및 두께
     - 직경이 15~30 ㎝, 두께가 1 ㎜ 이하 정도의 박막 원형의 단결정 실리콘
        . 직경 20, 30 ㎝ 웨이퍼가 주로 양산됨

  ㅇ 다이(die) 갯수는 보통 200~500 여개 정도
     - 다이(die) : 웨이퍼 상에 작은 사각형 형태로 만들어진 회로소자비저항 값
     - 수 ~ 수십 [㏀·cm] 정도


3. 기판 또는 모재 (Substrate)

  ㅇ 그 위에 전기회로를 형성시키는 기반이 되는 판
     - 전기회로가 형성되는 표면 밑에 기계적 지지 및 그 위에 박막 성장 등을 하는 몸체 부분


[결정 성장] 1. 결정 성장 2. 웨이퍼 3. 에피택셜 성장
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