Etching   식각, 에칭

(2017-03-17)

습식 식각, 건식 식각

1. 식각 (Etching)  

  ㅇ 선택적 화학 반응성을 이용한 불필요 물질의 제거 기술
     
  ㅇ 식각에 의한 제거 대상 : 실리콘 산화막, 폴리 실리콘, 금속 등

  ㅇ 식각 주요 파라미터
     - 식각 선택도(selectivity) : 1:1 또는 100:1 정도 [무차원]
        . 다른 재료에 비해 특정 재료 만을 식각하는 능력 (서로 다른 재질 간 식각속도 비율)
     - 식각 속도 : 수십~수천 [nm/min]


2. 식각 공정 특징리소그래피 노광 과정 후 원하는 부위 만 선택적으로 제거시키는 공정
     - 산화막화학적인 방법 등에 의해 부분적으로 제거하는 기술

  ㅇ 특정 부위별로 선택적으로 불순물 주입(Doping)을 가능하게하는 공정
     - 식각된 부위 만 불순물을 확산(Diffusion) 또는 이온주입(Ion implantation) 하게 됨
        . 다양한 층 및 모양을 만들 수 있음


3. 식각 기술 구분

  ㅇ 습식 식각(Wet Etching), 건식 식각(Dry Etching)
     - 습식 식각 : 화학 반응용액을 이용하여 선택 제거하는 고전적 기술
        . 노광되지 않은 포토 패턴 밑에 원치않는 언더컷(undercut)을 발생시키는 등 단점 있음
     - 건식 식각 : 화학 반응기체,증기 또는 플라즈마 충격 등을 이용해 선택 제거하는 기술
        . 例) 플라즈마 식각, 스퍼터 식각, 반응성 이온 식각 등

  ㅇ 등방성 식각(Isotropic Etching), 이방성 식각(Anisotropic Etching)
     - 등방성 식각 : 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 동일
        . 주로, 습식 식각인 경우가 많음
           .. 때론, 화학 반응기체,증기를 이용한 건식 식각도 있음
     - 이방성 식각 : 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 다름
        . 수직 방향의 식각 속도가 수평 방향 보다 큼
        . 주로, 건식 식각인 경우가 많음
           .. 例) 플라즈마 가스를 이용한 이온 충격 등에 의한 건식 식각


[집적공정] 1. 집적 공정 2. 결정 성장 3. 리소그래피 4. 증착 5. 식각 6. 도핑(확산,이온주입) 7. 산화
[결정 성장] [증착] [리소그래피] [집적공정 참고용어]
  1.   기술공통
  2.   기초과학
  3.   파동/광학/음향
  4.   방송/멀티미디어/정보이론
  5.   전자/전기/제어
        1. 전기전자공학
    1.   디지털공학
    2.   신호 및 시스템
    3.   회로해석
    4.   전자기학
    5.   초고주파/RF 공학
    6.   반도체/물리전자공학
      1.   도체 전도성
      2.   반도체 기초
      3.   반도체 재료
      4.   반도체 에너지밴드
      5.   반도체 평형상태
      6.   반도체 전하 이동
      7.   반도체 접합
      8.   다이오드
      9.   트랜지스터
      10.   집적공정
            1. 집적 공정
            2. 결정 성장
            3. 리소그래피
            4. 증착
            5. 식각
            6. 도핑(확산,이온주입)
            7. 산화
        1.   결정 성장
        2.   증착
        3.   리소그래피
        4.   집적공정 참고용어
    7.   전자회로
    8.   전기공학
    9.   자동제어
    10.   전자공학(기타일반)
  6.   통신/네트워킹
  7.   정보기술(IT)
  8.   기계/재료/공업일반
  9.   표준/계측/품질
  10.   기술경영

 
        최근수정     참고문헌