Transconductance   트랜스 컨덕턴스, 전달 컨덕턴스

(2018-02-16)

전달 콘덕턴스

1. 트랜스 컨덕턴스트랜지스터가 `전압제어 전류원(VCIS)` 역할을 하면서,
     - `증폭률 (이득 : 입력 전압 vi 대 출력 전류 io)`을 제공하는 척도
        .  Gm = io/vi [A/V]  (트랜스 컨덕턴스)

  ※ BJTMOSFET 보다 비교적 큰 트랜스컨덕턴스 값을 갖을 수 있음
     - 소자별 트랜스 컨덕턴스 의존성
        . BJT    : 주로, 바이어스(바이어스직류 컬렉터 전류)에 의존적
        . MOSFET : 주로, 제조공정 및 설계 파라미터에 의존적

  ㅇ 단위 : [mA/V] 또는 [지멘스, Ω-1]


2. BJT 트랜스 컨덕턴스

  BJT 트랜스 컨덕턴스는 정적으로 바이어스컬렉터 전류에 정비례함
     - VBE : 입력 베이스-이미터 전압
     - IC  : 출력 컬렉터 전류
       전압제어 전류원 증폭기로써의 소신호 근사
     - 입력 신호 전압 진폭(VBE)을 충분히 작게하며 선형 구간 내로 제한시켜,
     - 출력 신호 전류 증폭(IC)을 얻어냄


3. MOSFET 트랜스 컨덕턴스           ☞ MOSFET 전달 컨덕턴스 참조

  MOSFET 트랜스 컨덕턴스는 제조공정 및 설계 파라미터에 의존함
     - VGS : 입력 게이트-소스 전압
     - ID  : 출력 드레인 전류
       


[등가회로 모델] 1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델) 2. Ebers-Moll 모델 3. 이미터,베이스 저항 4. 트랜스 컨덕턴스 5. h 파라미터 6. MOSFET 등가회로 7. 드레인 저항

 
        최근수정     요약목록     참고문헌