Etching   식각, 에칭

(2017-03-17)

습식 식각, 건식 식각

1. 식각 (Etching)  

  ㅇ 선택적 화학 반응성을 이용한 불필요 물질의 제거 기술
     
  ㅇ 식각에 의한 제거 대상 : 실리콘 산화막, 폴리 실리콘, 금속 등

  ㅇ 식각 주요 파라미터
     - 식각 선택도(selectivity) : 1:1 또는 100:1 정도 [무차원]
        . 다른 재료에 비해 특정 재료 만을 식각하는 능력 (서로 다른 재질 간 식각속도 비율)
     - 식각 속도 : 수십~수천 [nm/min]


2. 식각 공정 특징리소그래피 노광 과정 후 원하는 부위 만 선택적으로 제거시키는 공정
     - 산화막화학적인 방법 등에 의해 부분적으로 제거하는 기술

  ㅇ 특정 부위별로 선택적으로 불순물 주입(Doping)을 가능하게하는 공정
     - 식각된 부위 만 불순물을 확산(Diffusion) 또는 이온주입(Ion implantation) 하게 됨
        . 다양한 층 및 모양을 만들 수 있음


3. 식각 기술 구분

  ㅇ 습식 식각(Wet Etching), 건식 식각(Dry Etching)
     - 습식 식각 : 화학 반응용액을 이용하여 선택 제거하는 고전적 기술
        . 노광되지 않은 포토 패턴 밑에 원치않는 언더컷(undercut)을 발생시키는 등 단점 있음
     - 건식 식각 : 화학 반응기체,증기 또는 플라즈마 충격 등을 이용해 선택 제거하는 기술
        . 例) 플라즈마 식각, 스퍼터 식각, 반응성 이온 식각 등

  ㅇ 등방성 식각(Isotropic Etching), 이방성 식각(Anisotropic Etching)
     - 등방성 식각 : 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 동일
        . 주로, 습식 식각인 경우가 많음
           .. 때론, 화학 반응기체,증기를 이용한 건식 식각도 있음
     - 이방성 식각 : 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 다름
        . 수직 방향의 식각 속도가 수평 방향 보다 큼
        . 주로, 건식 식각인 경우가 많음
           .. 例) 플라즈마 가스를 이용한 이온 충격 등에 의한 건식 식각


[집적공정] 1. 집적 공정 2. 결정 성장 3. 리소그래피 4. 증착 5. 식각 6. 도핑(확산,이온주입) 7. 산화
[결정 성장] [증착] [리소그래피] [집적공정 참고용어]

 
        최근수정     참고문헌