MOSFET Operation Region   MOSFET 동작영역, MOSFET 동작모드

(2015-03-26)

차단 영역

Top > [기술공통]
[기초과학]
[진동/파동]
[방송/멀티미디어/정보이론]
[전기전자공학]
[통신/네트워킹]
[정보기술(IT)]
[공업일반(기계,재료등)]
[표준/계측/품질]
[기술경영]
전기전자공학 >   1. 전기전자공학
[디지털공학]
[신호 및 시스템]
[회로해석]
[전자기학]
[초고주파공학]
[반도체]
[전자회로]
[전기공학]
[자동제어]
[전자공학(기타일반)]
반도체 >   1. 반도체
[도체 전도성]
[반도체 기초]
[반도체 재료]
[반도체 에너지밴드]
[반도체 평형상태]
[반도체 전하 이동]
[반도체 접합]
[다이오드]
[트랜지스터]
[집적공정]
트랜지스터 >   1. 트랜지스터
[트랜지스터 구분]
[BJT]
[MOSFET]
MOSFET >   1. MOSFET
  2. 공핍형,증가형 MOSFET
[MOS 커패시터]
[MOSFET 구조]
[MOSFET 동작]
[MOSFET 파라미터]
MOSFET 동작   1. MOSFET 동작영역
  2. 트라이오드 영역
  3. 포화 영역
  4. 전도 채널
  5. 핀치 오프
  6. 채널길이변조
  7. 전류전압특성

Top > [기술공통]
[기초과학]
[진동/파동]
[방송/멀티미디어/정보이론]
[전기전자공학]
[통신/네트워킹]
[정보기술(IT)]
[공업일반(기계,재료등)]
[표준/계측/품질]
[기술경영]
전기전자공학 >   1. 전기전자공학
[디지털공학]
[신호 및 시스템]
[회로해석]
[전자기학]
[초고주파공학]
[반도체]
[전자회로]
[전기공학]
[자동제어]
[전자공학(기타일반)]
전자회로 >   1. 전자 회로
[전자회로 기초]
[트랜지스터 동작]
[증폭기]
[발진기]
[펄스파형회로]
[기초응용회로]
[부품/소자/기타]
트랜지스터 동작   1. BJT 동작영역
  2. BJT 활성영역
  3. 포화 영역
  4. MOSFET 동작영역
  5. 전압전달특성(VTC)
  6. 얼리 효과

1. MOSFET 동작영역 구분

  ㅇ `차단영역 (OFF)` 및 `선형영역 (ON)` : `스위치` 역할
  ㅇ `포화영역` : `증폭기` 역할

  


2. MOSFET 차단 영역

  ㅇ 동작 특성 
     - 디지털 논리소자에서 열린(개방) 스위치 처럼 동작

  ㅇ 전압 조건 : vGS < Vth
     - 문턱전압 보다 낮은 게이트 전압

  ㅇ 드레인 - 소스 간에 전류 흐름 없음
     -  iD = 0

  ㅇ 전도 채널 형성 없음


3. MOSFET 선형 영역/옴 영역/트라이오드(Triod) 영역

  ※ ☞ 트라이오드 영역 참조
     - 선형 저항 소자 처럼 동작하는 영역 (디지털 논리소자에서 닫힌 스위치 처럼 동작)
     - 전압 조건 : vGS > Vth, 0 < vDS < vGS - Vth


4. MOSFET 포화 영역

  ※ ☞ 포화 영역 참조
     - 증폭기 역할이 가능한 영역
     - 전압 조건 : vDS > vGS - Vth


[MOSFET 동작] 1. MOSFET 동작영역 2. 트라이오드 영역 3. 포화 영역 4. 전도 채널 5. 핀치 오프 6. 채널길이변조 7. 전류전압특성

 
        최근수정     요약목록     참고문헌