포화 영역 [MOSFET]

(2017-01-12)
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MOSFET
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2. 공핍형,증가형 MOSFET

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MOSFET 구조
MOSFET 동작
MOSFET 파라미터
 > MOSFET 동작 1. MOSFET 동작영역
2. 트라이오드 영역
3. 포화 영역
4. 전도 채널
5. 핀치 오프
6. 채널길이변조
7. 전류전압특성

     
1. MOSFET 포화 영역

  ㅇ 동작 특성 
     - 증폭기 역할이 가능한 영역
     - 평평한/일정한 드레인 전류 특성 
     - 드레인 전류는 드레인 전압에는 무관하고 게이트 전압에 만 의존 (전압제어전류원) 

  ㅇ 전압 조건 : vDS > vGS - Vth
     - vDS(sat) : 드레인 단자에서 반전전하밀도를 0 으로 하는데 필요한
                 드레인-소스 전압

  ㅇ 제곱적 전류 관계식
     

  ㅇ iD-vDS 곡선 기울기 = 0

  ㅇ 부분적 전도 채널 형성됨 
     - 소스에서 드레인 근처까지 전도 채널 형성 못함 (핀치오프 현상)
     - 반전층 전하밀도 = 0
     - 전도채널전도도가 증가하지 않음

  ※ 핀치오프 (Pinch-off)
     - 게이트 전압에 의한 수직 전계와 드레인 전압에 의한 수평 전계가
       서로 상쇄되어 드레인 근처에서 전도 채널이 형성되지 못하는 상태
     - 핀치오프 상태에서는,
        . 전자전도 채널의 끝에 도달하게 되면, 드레인 부근의 강한 전계에 의해 
          전자가 빠르게 드레인으로 끌려가는 현상이 발생
        . 그 결과 드레인 전압은 더 이상 드레인 전류의 변화에 영향을 주지 못함
        . 이때 드레인 전압이 더 커진다 해도 드레인 전류는 일정하게 되는데, 
        . 이를두고 포화영역(saturation region) 이라고 함


[ MOSFET 동작 ]1. MOSFET 동작영역  2. 트라이오드 영역  3. 포화 영역  4. 전도 채널  5. 핀치 오프  6. 채널길이변조  7. 전류전압특성  

 
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