집적공정, 반도체 집적공정

(2016-11-19)
1. 반도체 집적공정

  ㅇ 소자에 따라 다르지만, 각 단위공정의 반복 및 조합으로, 수백 스텝의 공정단계를 거침


2. 웨이퍼 제조 공정 (결정 성장)Si 다결정Si 단결정Si 웨이퍼
    - purification, shaping, polishing, cleaning


3. 회로 설계 관련 공정회로 설계(논리회로 설계) → 패턴 설계마스크 제작


4. 기판 위 디바이스 제조 공정실리콘 산화물(SiO2)층(산화막) 형성    : 산화막 공정
  ㅇ 산화물 일부 선택적 제거               : 식각 공정
  ㅇ 웨이퍼 표면에 도펀트 주입             : 이온 주입 공정
  ㅇ 웨이퍼 내부에 도펀트 확산             : 확산 공정금속층, 절연층, 지지층 등 박막 형성   : 박막 공정

  ※ 평면 공정(Planar Process) 기술
     - 단결정 위에 소자를 집적시키는 기술 (산화막 형성이 중요함)

  ※ 주요 공정 구분
     - 회로 소자 영역별 정의 공정         : 포토 리소그래피
     - 웨이퍼 위에 물질 첨가 공정         : 산화막, 증착, 이온주입
     - 웨이퍼로부터 불필요 물질 제거      : 식각


5. 기타 공정

  ㅇ 불순물(오염물질) 최소화               : 세정 공정(클린룸,웨이퍼 세척,게터링 등)
     - 제조 환경, 청정화, 표면 세척 등을 모두 포함
        . 실리콘 웨이퍼 세정 및 각 단위 공정의 전후에 세정 실시

  ㅇ 반도체 소자로 제조하는 마지막 단계 : 패키징 (반도체 칩을 실장하는 과정)
     - 한편, 패키징 이전의 일체의 과정을 패브리케이션(FAB) 이라고 함


[집적공정] 1. 집적 공정 2. 결정 성장 3. 리소그래피 4. 증착 5. 식각 6. 도핑(확산,이온주입) 7. 산화
[결정 성장] [증착] [리소그래피] [집적공정 참고용어]

 
        최근수정     참고문헌