Photomasking, Exposure   노광, 노출

(2016-03-22)
1. 노광/노출(Exposure,Photomasking) 

  ㅇ 포토 마스크 패턴웨이퍼 표면으로 옮기는 작업
     - 즉, 마스크를 통과하여 감광막이미지를 형성하는 과정
        . 대부분 영역별 반복 노광 방식


2. 노광/노출 특징

  ㅇ 주요 장비 구성
     - 광원(광,전자빔,X선 등), 광학계, 정렬시스템, 웨이퍼 이동 장치

  ㅇ 방식 구분
     - 영상 인쇄 방식 (Shadow Printing)
        . Contact(접촉) 방식   : 웨이퍼마스크가 밀착
        . Proximity(근접) 방식 : 웨이퍼마스크 사이가 10~250 ㎛ 정도
     - 투영 인쇄 방식 (Projection Printing)

  ㅇ 주요 노광 광원
     - 자외선(UV)   : G-Line(486 ㎚),H-Line(406 ㎚), I-Line(365 ㎚)
     - DUV(Deep UV) : KrF(248 ㎚),ArF(193 ㎚),CaF(157 ㎚) 등으로 짧아지고 있음
     - E Beam       
     - X Ray


3. 노광/노출 관련 기타용어

  ㅇ 스테퍼(Stepper) : 웨이퍼 수평 이동을 하며 노광하는 핵심 장치
     - 레티클의 큰 이미지를 4~10:1 정도로 축소 투영시키는 자동 정렬 노광 장치를 말함
  ㅇ 정렬(Alignment) : 노광을 위해 여러 마스크웨이퍼를 정확한 위치에 연이어 맞추는 일
  ㅇ 레티클(Reticle) : 설계 도면의 5배 정도 크기로 패턴이 그려진 유리판


[리소그래피] 1. 리소그래피 2. 감광제 3. 마스크 4. 노광

 
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