페르미 준위 변동

(2018-03-02)
1. 온도에 따른 페르미 준위의 변동

  ㅇ T = 0˚K 
     -  0 ~ EF까지 모든 에너지 상태전자들에 의해 점유됨.
       .  그 이상의 에너지 상태에서는 전자가 비어있게됨
       

  ㅇ T > 0˚K  
     -  0˚K 이상의 온도에서 EF 이상의 에너지 상태들에 대해서는 전자들로
        충만될 어떤 확률 f(E) (E > EF) 이 있게되며, 
     -  EF 이하의 에너지 상태들에 대해서는 전자들이 비어있을 어떤 확률이
        1 - f(E) (E < EF) 이 있게됨
       

  ㅇ 한편, 페르미 분포함수 f(E)는 모든 온도에서 EF에 대해 대칭적임
     - 페르미 분포함수 f(E)의 형태가 EF 이상과 이하에서 서로 대칭적


2. 반도체 도핑에 따른 페르미 준위의 변동도핑(종류,농도)에 따라 페르미 준위는 변하게 됨

       
  

3. 온도도핑에 따른 페르미 준위의 변동n형 반도체 :  p형 반도체 :  

       

  *  이용가능한 `반송자(전자,정공)` 농도 및 `양자 에너지 상태`에 의해 결정됨


[반도체 에너지밴드] 1. 에너지밴드 2. 금지대 3. 상태 밀도 4. 에너지준위 기울기 5. 페르미 준위 6. 준 페르미 준위 7. 페르미 준위 변동 8. 반도체 이온화 에너지

 
        최근수정     요약목록     참고문헌