MOSFET Transconductance Parameter   MOSFET 트랜스컨덕턴스 파라미터, 공정 트랜스컨덕턴스 파라미터

(2020-07-11)

1. MOSFET 트랜스컨덕턴스 파라미터MOSFET 소자의 컨덕턴스 값은, 제조공정 및 소자설계에 따라, 가변 조절되는 파라미터2. 공정 트랜스컨덕턴스 파라미터 (Process Transconductance Parameter) kn'MOSFET 제조 공정 기술에 따라 얻어지는 파라미터

     -   kn' = μn Cox
        . kn'  :  공정 트랜스컨덕턴스 파라미터 [A/V2]
        . μn :  전자 이동도 [㎡/V s]
        . Cox :  산화물 커패시턴스 [F/㎡]
           .. 단위 게이트 면적당 평행판 커패시터(MOS 커패시터)의 커패시턴스


3. 트랜스컨덕턴스 파라미터 (MOSFET Transconductance Parameter) knMOSFET 소자 설계자에 의해 주어지는 파라미터

     -   kn = kn'(W/L) = (μnCox)(W/L)
         . kn    :  MOSFET 트랜스컨덕턴스 파라미터 [A/V2]
         . kn'  :  공정 트랜스컨덕턴스 파라미터 [A/V2]
         . (W/L) :  외형비 [단위없음]

MOSFET 파라미터
   1. 트랜스 컨덕턴스   2. 채널 컨덕턴스   3. 문턱 전압  


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