Built-in Potential   내부 전위, 빌트인 전압

(2018-07-06)
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  3. 전위 장벽

1. (pn 접합)  내부 전위, 전위 장벽 

  ㅇ 내부 전위 (Built-in Potential)
     - 열평형 하의 반도체 접합 면에 형성된 공핍층을 가로질러 나타나는 전위차전위 장벽 (Potential Barrier,Built-in Potential Barrier)
     - 공간적으로 고정된 도펀트 이온들에 의해 발생된 전계가,
     - 이동 전하의 확산을 막게되는 내부 전위에 따른 에너지 장벽


2. (pn 접합)  내부 전위공핍층에서 고정된 도너,억셉터 이온들에 의해 나타나는 내부 전위 Φbi
       반도체별 내부 전위 차이 例) (25℃에서)
     - 실리콘 Si   : 약 0.7 [V]
     - 게르마늄 Ge : 약 0.3 [V]


[전위] 1. 전위 2. 등전위면 3. 내부 전위

 
        최근수정     요약목록(시험중)     참고문헌