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Built-in Potential 내부 전위, 빌트인 전압 | (2018-07-06) |
1. (pn 접합) 내부 전위, 전위 장벽 ㅇ 내부 전위 (Built-in Potential) - 열평형 하의 반도체 접합 면에 형성된 공핍층을 가로질러 나타나는 전위차 ㅇ 전위 장벽 (Potential Barrier,Built-in Potential Barrier) - 공간적으로 고정된 도펀트 이온들에 의해 발생된 전계가, - 이동 전하의 확산을 막게되는 내부 전위에 따른 에너지 장벽 2. (pn 접합) 내부 전위 例 ㅇ 공핍층에서 고정된 도너,억셉터 이온들에 의해 나타나는 내부 전위 Φbiㅇ 반도체별 내부 전위 차이 例) (25℃에서) - 실리콘 Si : 약 0.7 [V] - 게르마늄 Ge : 약 0.3 [V]
[전위] | 1. 전위 2. 등전위면 3. 내부 전위 |