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Thin Film 박막 | (2017-05-24) |
| 전자/전기/제어 1. 전기전자공학 ㅁ 디지털공학 ㅁ 신호 및 시스템 ㅁ 회로해석 ㅁ 전자기학 ㅁ 초고주파/RF 공학 ㅁ 반도체/물리전자공학 ㅁ 전자회로 ㅁ 전기공학 ㅁ 자동제어 ㅁ 전자공학(기타일반) > 반도체/물리전자공학 ㅁ 도체 전도성 ㅁ 반도체 기초 ㅁ 반도체 재료 ㅁ 반도체 에너지밴드 ㅁ 반도체 평형상태 ㅁ 반도체 전하 이동 ㅁ 반도체 접합 ㅁ 다이오드 ㅁ 트랜지스터 ㅁ 집적공정 > 집적공정 1. 집적 공정 2. 결정 성장 3. 리소그래피 4. 증착 5. 식각 6. 도핑(확산,이온주입) 7. 산화 ㅁ 결정 성장 ㅁ 증착 ㅁ 리소그래피 ㅁ 집적공정 참고용어 > 증착 1. 증착 2. 에피택셜 성장 3. 박막 4. 화학 증착 5. 스퍼터링 |
1. 박막 ㅇ 통상적으로, 집적공정에서 두께 약 1 ㎛ 이하로 만들어지는 얇은 막을 지칭 - 주로, 전도성 박막 및 절연성 박막 등으로 사용됨 ※ 기타 참고용어 ☞ 박막 필터, 박막 트랜지스터, 산화막 등 2. 집적공정에 의한 주요 박막 종류 ㅇ 열 산화막 - MOSFET 전도채널의 형성에 기반이 되는 절연 산화막 등에 사용 ㅇ 유전체 박막 - 전도성 층 간에 절연, 보호막, 격리 등에 사용 . 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등 ㅇ 에피택셜 층 - 단결정 실리콘 층의 성장에 사용 . 주로, 기계적인 지지 및 도핑 농도의 조절 등에 사용 ㅇ 다결정 실리콘 층 - 다결정 실리콘 성장에 사용 . MOSFET 게이트 전극 재료, 다층 금속화 공정의 전도성 물질, 접합 접촉 재료 등 ㅇ 금속 박막 - 집적회로 내 소자 간 연결선, 옴성 접촉, 침과 외부와의 연결 등 . 재료 : 알루미늄, 티타늄, 텅스텐, 구리 등 3. 주요 박막 공정 ㅇ 액상법 - 例) 전기 도금 등 ㅇ 기상법(증착법) - 물리 증착법(PVD) . 진공 증착(Vacuum Depositin) 법 : 열 증발(Thermal Evaporation), 스퍼터링(Sputtering) . 스패터링(Spattering) 법 - 화학 증착법(CVD) ㅇ 열 산화 법 - 실리콘 웨이퍼 그 자체 물질이 이용됨
| ↑ [ 증착 ] | 1. 증착 2. 에피택셜 성장 3. 박막 4. 화학 증착 5. 스퍼터링 |