Emitter Resistance, Base Resistance, Collector Resistance   이미터 저항, 베이스 저항, 컬렉터 저항

(2017-01-17)

이미터 입력 저항, 베이스 입력 저항, 소신호 임피던스, 소신호 저항, 소신호 출력저항

1. 소신호 이미터 저항 (Small-signal Emitter Resistance)

  ㅇ 이미터 쪽으로 바라본 소신호 교류 저항 성분     : re
     -   re = vbe/ie   

     -  re전압이득을 결정
        . 부하 저항에 비해, re가 작을수록 전압이득은 더욱 커짐
          직류 이미터 전류에 의해 결정되는 교류 이미터 저항 값 
     -   re = VT/IE = 25 mV/IE
        . re : IE 전류 레벨에 의해 결정되는 등가 저항
        . VT : 실온 20℃에서 약 25 mV 인 열전압 (쇼클리 다이오드 방정식)

     - 이미터-베이스 교류전압(vbe)이 일정하고, 직류 이미터 전류(IE)가 증가할 때,
        . 교류 이미터 저항(re)는 언제나 감소함


2. 소신호 베이스 저항 (Small-signal Base Resistance) = BJT 입력 임피던스

  ㅇ 베이스 쪽으로 바라본 소신호 저항               : rπ 또는 rb
     
     - gm : 트랜스 컨덕턴스

  ※ [참고]
     - BJT    : 베이스 쪽으로 바라본 소신호 저항이 유한한 rπ로 보임
     - MOSFET : 게이트 쪽으로 바라본 저항은 거의 무한에 가까움


3. 소신호 컬렉터 저항 = BJT 소신호 출력 저항 

  ㅇ 컬렉터에서 바라다본 소신호 출력 저항           : ro
     


4. 소신호 입출력 전달 컨덕턴스 증폭률(입력 전압 대 출력 전류)을 제공하는 척도 : gm
     - 전압제어전류원(VCIS) 역할을 하면서, 증폭률(∂IC/∂VBE)을 제공하는 척도
     


[등가회로 모델] 1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델) 2. Ebers-Moll 모델 3. 이미터,베이스 저항 4. 트랜스 컨덕턴스 5. h 파라미터 6. MOSFET 등가회로 7. 드레인 저항

 
        최근수정     요약목록(시험중)     참고문헌