소신호 임피던스, 소신호 저항

(2022-01-16)

Base Resistance, 베이스 저항, 베이스 입력 저항, Collector Resistance, 컬렉터 저항, 소신호 출력저항


1. 소신호 베이스 저항 (Small-signal Base Resistance) = BJT 입력 임피던스

      

  ㅇ 베이스 쪽에서 바라본 소신호 저항  :  rπ (또는, rb)
     - 
[# r_π = \frac{v_{be}}{i_b} = \frac{\partial v_{BE}}{\partial i_B} = \frac{\partial v_{BE}}{\partial (i_C/β)} = β\frac{\partial v_{BE}}{\partial i_C} \approx β\frac{\partial v_{BE}}{\partial i_E} = \frac{β}{g_m} = βr_e #]
* [참고] . BJT : 베이스 쪽으로 바라본 소신호 저항이, 유한한 rπ로 보임 . MOSFET : 게이트 쪽으로 바라본 저항은, 거의 무한에 가까움 ㅇ 이미터 쪽에서 바라본 소신호 저항 : re -
[# r_e = \frac{\partial v_{BE}}{\partial i_E} = \frac{V_T}{I_{EQ}} \approx \frac{V_T}{I_{CQ}} #]
: 소신호 이미터 저항 ㅇ 소신호 입출력 전달 컨덕턴스 ☞ 아래 3.항 참조 -
[#g_m = \frac{\partial i_E}{\partial v_{BE}} #]
: 전달 컨덕턴스 2. 소신호 컬렉터 저항 = BJT 소신호 출력 저항 ㅇ 컬렉터 쪽에서 바라다본 소신호 출력 저항 : ro 3. 소신호 입출력 전달 컨덕턴스 증폭률(입력 전압 대 출력 전류)을 제공하는 척도 : gm - 전압제어전류원(VCIS) 역할을 하면서, 증폭률(∂IC/∂VBE)을 제공하는 척도

등가회로 모델
   1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델)   2. Ebers-Moll 모델   3. 하이브리드 π 모델   4. r 파라미터 모델   5. h 파라미터 모델   6. MOSFET 등가회로   7. 트랜스 컨덕턴스   8. 이미터 저항   9. 베이스,컬렉터 저항   10. 드레인 저항  


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