PIN, PIN-PD   PIN Photodiode, p-i-n Photo Diode, PIN Diode   PIN 광다이오드

(2014-02-17)
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  6. 터널 다이오드
  7. 다이오드 근사 해석

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  3. PIN 광다이오드
  4. APD 광다이오드
  5. 응답도
  6. 암전류
  7. 양자 효율

1. PIN 광 다이오드 (PIN Photodiode)

  ㅇ PiN 접합(pn 접합 사이에 다소 넓은 진성 반도체 층이 있는 구조)을 갖는
     광 검출다이오드(포토다이오드,수광소자)를 말함

  ㅇ PIN 이라는 이름은, Positive-Intrinsic-Negative의 약칭


2. PIN PD 구조

  ㅇ 일반 pn 접합 다이오드에서는 외부로 전류를 생성하기전에 전자-정공 쌍이 재결합되므로
     - 낮게 도핑시킨 공핍층(depletion layer)을 넓게한 구조
        . 즉, 진성 반도체층을 p 및 n 영역 사이에 삽입시킨 구조 (i 영역)
           .. p 와 i 영역이 이종접합 구조(heterostructure)
     

  ㅇ 진성영역(i 영역)
     - 저항성 영역으로 불순물 농도 작음
        . 역 전압 대부분이 여기에 걸리고, 공핍층이 형성되고, 전계 대부분이 이곳에 형성됨


3. PIN PD 동작 특성공핍층(진성영역,i 영역)에 비해 p 및 n 영역의 두께를 매우 얇게함으로써,
     - 광자의 흡수효율이 좋아짐
        . 전자-정공쌍을 발생시키는 영역이 넓어지기 때문

  ㅇ 공핍층 두께에 따라 입사 응답도 및 반응시간에 차이가 남
     - 공핍층 두께가 커지면 응답도는 커지나,
        . 반송자 이동시간이 길어지면 결국 반응시간도 영향을 받음 


4. PIN PD 특징

  ㅇ 고속 동작 특성을 갖게할 수 있음
  ㅇ 안정적이고, 신뢰성이 높음
  ㅇ 가격 저렴 경제적
  ㅇ 기본적으로 선형 소자임


5. PIN PD 재료별 주요 특성

   


[다이오드] 1. 다이오드 2. 제너 다이오드 3. 버랙터 다이오드 4. PIN 광다이오드 5. 쇼트키 다이오드 6. 터널 다이오드 7. 다이오드 근사 해석

 
        최근수정     참고문헌